砷化镓薄膜多结叠层太阳电池的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种砷化镓薄膜多结叠层太阳电池的制备方法，其特点是包括以下制备步骤：1、外延层反向生长制备GaAs三结太阳电池；2、步骤1制备的电池与Si衬底键合；3、剥离Ge衬底；4、粘接廉价衬底；5、剥离Si衬底。本发明专利技术采用先外延生长顶电池和中间电池，后生长底电池，保证了最先外延生长的晶格匹配顶电池和中间电池完美外延生长；提高了大面积外延薄膜的掺杂均匀性和薄膜可靠性，进一步提高了光电转换效率；采用比重轻于Ge的廉价支撑衬底，即减轻了电池的重量，提升了太阳电池的功率比，又有效降低了电池的成本，极大地提升了III-V族化合物太阳能电池的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳电池
，特别是涉及一种。
技术介绍
目前在光伏市场上薄膜太阳能电池的产品类型主要有Si基薄膜太阳能电池、 CIGS薄膜太阳能电池和CdTe薄膜电池等。这些薄膜太阳能电池根据衬底材料可以分为刚性(即玻璃衬底)电池和柔性(不锈钢或聚酯膜衬底)电池。与厚度约为180微米-200微米的普通晶体Si太阳能电池相比，薄膜太阳能电池的薄膜材料厚度不超过50微米，大量减少了电池用材料，在光伏市场的应用规模逐渐扩大，2010年已经占13%以上的市场份额。但各种薄膜电池都有一些难以解决的瓶颈问题，如①、Si基薄膜太阳能电池，无论单结、双结还是三结电池，制造工艺都是采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)方法，真空腔的清洗基本是氟化物(SF6或NF3)，排出物是含氟气体。荷兰科学家Rob van der Meulen 等在 2011 年第 19 期的 Progress in photovoltaics Research and Applications 上发表文章称，这种含氟气体对环境造成的温室效应比CO2高17200-22800倍。太阳能光伏发电一直以来被认为是绿电，那么在本文档来自技高网...

【技术保护点】
砷化镓薄膜多结叠层太阳电池的制备方法，其特征在于包括以下制备步骤：步骤1、外延层反向生长制备GaAs三结太阳电池将Ge衬底置于MOCVD操作室内，生长温度设置为500℃?800℃，在Ge衬底上面依次外延生长厚度为0.1?0.3微米的GaAs缓冲层、厚度0.1?0.3微米的GaInP腐蚀停止层、厚度为100?500nm的n型掺杂GaAs帽层、作为顶电池的第一结GaInP电池、第一隧穿结、作为中电池的第二结GaAs电池、第二隧穿结、厚度为2?5μm的n型掺杂Inx(AlyGa1?y)1?xAs渐变层和作为底电池的第三结InxGa1?xAs电池；所述Inx(AlyGa1?y)1?xAs渐变层中0.0...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高鹏，王帅，刘如彬，康培，孙强，穆杰，
申请(专利权)人：天津蓝天太阳科技有限公司，中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：发明
国别省市：