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本发明涉及一种砷化镓薄膜多结叠层太阳电池的制备方法，其特点是包括以下制备步骤：1、外延层反向生长制备GaAs三结太阳电池；2、步骤1制备的电池与Si衬底键合；3、剥离Ge衬底；4、粘接廉价衬底；5、剥离Si衬底。本发明采用先外延生长顶电池和...该专利属于天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所授权不得商用。