一种智能功率模块的制备工艺制造技术

一种智能功率模块的制备工艺，具体按以下步骤进行：步骤1：晶圆减薄；步骤2：划片；步骤3：上芯；步骤4：压焊；步骤5：塑封；步骤6：电镀；步骤7：测试/编带。本发明专利技术主要在封装测试工序进行过程优化，将智能功率集成模块的功率部分及智能部分分开，由于智能功率集成模块的芯片面积主要在功率部分，所以制作的成本也主要是在功率部分。功率部分及智能部分分开后，智能部分的加工成本一样，但是功率部分的成本远低于现在集成在一起的成本。这样虽然封装成本会高一点，但是芯片的成本低很多，该发明专利技术整体的性价比更高，适应与中低端智能功率产品。探索出了新的更具性价比的智能模块制造技术，在中低端智能功率模块市场上更具竞争力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件制造
，涉及一种新型智能功率模块的制备工艺。
技术介绍
随着科学技术的发展，电力电子半导体器件在现代电力电子技术中占据着重要的地位，它正向高频化、大功率化、智能化和模块化方向发展。智能功率模块(IPM)是一种先进的功率开关器件，具有GTR(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点，以及MOSFET(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。而且IPM内 部集成了逻辑、控制、检测和保护电路，使用起来方便，不仅减小了系统的体积以及开发时间，也大大增强了系统的可靠性，适应了当今功率器件的发展方向——模块化、复合化和功率集成电路(PIC)，在电力电子领域得到了越来越广泛的应用。但是目前，市场上的IPM(智能功率模块)产品来源基本上都为进口、价格昂贵，致使市场价格持高不下，用户难以接受。国内一条半导体32/28纳米节点工艺线所需成本约是12亿美元，22/20纳米节点工艺成本将增加至约21至30亿美元。至于芯片设计成本，则会从32纳米节点所需的5000万至9000万美元，在22纳米节点增加至1. 2亿至5亿美元。在32纳米节点，芯片销售量需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种智能功率模块的制备工艺，其特征在于：该制备工艺具体按以下步骤进行：步骤1：晶圆减薄晶圆减薄最终厚度为80um?110?um；?步骤2：划片功率芯片划片过程中应用防碎片、防裂纹划片工艺软件控制技术，得到功率芯片；智能芯片利用普通划片工艺，得到智能芯片；步骤3：上芯在360℃±30℃下用软焊料将功率芯片粘接在引线框架上，在室温下用绝缘胶将智能芯片粘接在引线框架上，将粘接好功率芯片和智能芯片的引线框架在180℃?200℃高温下烘烤6?8小时，用于加固绝缘胶粘结力；步骤4：压焊将上芯后的引线框架的管脚与功率芯片和智能芯片之间先打铝线、再打铜线进行电气连接；步骤5：塑封将压焊好的引线框架放在注塑机上...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：崔卫兵，王新，龚浩，程海，
申请(专利权)人：天水华天微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：