浪涌电压抑制电路制造技术

本实用新型专利技术涉及航空电子设备直流电源技术领域，公开了一种浪涌电压抑制电路，它包括主箝位管驱动电路和过压箝位取样电路，主箝位管驱动电路包括MOS管T2、稳压二极管DZ5、电阻R7和自举升压电路。本实用新型专利技术利用具有外部振荡端子的PWM芯片，通过自举升压电路中电容器C5的自举升压功能，就能得到稳定的直流驱动电压驱动MOS管T2，将MOS管T2的栅极、源极电压维持在一定范围内，极大地简化了线路结构；由三极管T3、三极管T4组成的过压箝位取样电路，使得输出箝位电压可以随意设置；主箝位管T2动态响应性能好，可实现对385V/20ms浪涌电压的抑制；使芯片的功能得到很大延深。本实用新型专利技术能够有效地抑制供电电源的浪涌电压，向DC/DC电源变换器传送安全、适配的输入电压。

【技术实现步骤摘要】
浪涌电压抑制电路
本技术涉及航空电子设备直流电源
，具体的说是一种向0(:/0(:电源变换器传送安全、适配的输入电压的浪涌电压抑制电路。
技术介绍
在航空电子设备和控制系统中，给0(:/0(:电源变换器供电的直流电源，由于各种各样的原因，会产生浪涌电压(瞬时电压尖峰、电压起伏和短时的电压跌落),其幅值往往超过0(:/0(:电源变换器允许的输入电压范围，造成0(:/0(:电源变换器工作不稳定，乃至损坏。 专利文献《瞬时电压尖峰与瞬时电压浪涌抑制器》(申请号为200810232104.XX其线路包括有低压IX:电源、0以八变换器、0以八变换器供电的启动电路和倍压整流电路，原理框图如说明书附图图1所示。当输入电压为正常电压范围时，稳压管此2不工作，倍压整流电路将多谐振荡器输出的交流电压整流成直流电压，为主动箝位场效应管II栅极提供需要的栅极电压，用以保证栅极电压与输出电压的差值能使主动箝位场效应管II始终处于导通状态，并使主动箝位场效应管II源极电压跟随输入电压变化。在浪涌电压来临时，稳压管022工作，倍压整流电路输出恒定的直流电压，主动箝位场效应管II的栅极电压恒定，并使主动箝位场效应管II源极电压不随输入电压变化，输出电压被箝位在设定值。该技术方案存在以下缺点: (丨)、主箝位管通过多级倍压整流电路倍压，用以保证主箝位管始终处于导通状态，无法实现宽输入电压； (2^输出箝位电压是通过稳压管022得到的固定值，无法进行随意变动； (3^该技术方案主动箝位场效应管II动态响应差，无法实现对3857/201118浪涌电压的抑制。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种浪涌电压抑制电路，用在供电电源和0(:/0(:电源变换器之间，抑制供电电源的浪涌电压，向0(:/0(:电源变换器传送安全、适配的输入电压。 为客服现有技术中存在的缺点，本技术所采取的技术方案为: 一种浪涌电压抑制电路，一种浪涌电压抑制电路，本电路的输入端与具有外部振荡端子的？丽芯片X相连接，本电路的输出端与负载相连接，其特征在于:它包括主箝位管驱动电路和过压箝位取样电路，所述主箝位管驱动电路包括服)3管12、稳压二极管025、电阻87和自举升压电路，所述103管12的漏极与电源正极相连接，所述103管12的源极所述稳压二极管025的正极相连接，所述103管12的栅极与所述稳压二极管025的负极相连接，与所述电阻87的一端相连接，所述自举升压电路、过压箝位取样电路分别与所述芯片X的管脚相连接。 作为本技术的进一步改进，所述自举升压电路由电容器⑶、二极管01、二极管02、电容器⑶组成，所述电容器⑶的一端与稳压二极管025的正极相连接，所述电容器C5的另一端与所述电阻R7的另一端相连接、所述二极管D1的负极相连接，所述二极管D1的正极与所述二极管D2的负极、所述电容器C6的一端相连接，所述二极管D2的正极与所述稳压二极管DZ5的正极相连接，所述电容器C6的另一端与所述芯片1C的第6脚相连接，所述电容器C6为隔离电容，当其为上正下负时，通过所述二极管D1、二极管D2为所述电容器C5充电，经过几个周期之后，所述电容器C5两端电压上升，当电容器C5两端电压大于所述MOS管T2的开启电压时，所述MOS管T2的导通，形成输出电压Vout。 作为本技术的更进一步改进，所述过压箝位取样电路由三极管T3、三极管T4、电阻R3、电阻R5、电阻R6、电阻R8组成，所述三极管T3的基极与所述芯片1C的第8脚相连接、所述三极管T3的集电极与所述芯片1C的第7脚相连接，所述三极管T3的发射极与所述三极管T4的发射极、所述电阻R5的一端相连接，所述电阻R5的另一端接地，所述三极管T4的集电极与所述电阻R6的一端相连接，所述电阻R6的另一端与所述M0S管T2的栅极相连接，所述三极管T4的基极与所述电阻R3、电阻R8的一端相连接，所述电阻R3的另一端与所述二极管D2的正极相连接，所述电阻R8的另一端接地；所述电阻R3与所述电阻R8相互串联，用来设置输出箝位电压值，所述芯片1C的第7脚为供电电压Vcc，第8脚为基准电压Vref，所述电阻R5两端电压为固定值，当输出电压Vout超过钳位电压时，所述电阻R8两端电压大于所述基准电压Vref，所述三极管T4导通，所述M0S管T2栅极电压达到动态平衡。 作为本技术的更进一步改进，所述三极管T3、三极管T4为同一型号、同一批次的两个三极管。 所述PWM芯片的型号为UCC2843。 所述稳压二极管DZ5用来保护所述M0S管T2的栅源电压不超过其极限值，在本技术方案中不设置所述稳压二极管DZ5，也能实现本技术方案的功能。 在本技术中，利用简单的具有外部振荡端子的PWM芯片1C，通过自举升压电路中电容器C5的自举升压功能，就能得到稳定的直流驱动电压驱动M0S管T2，将M0S管T2的栅极、源极电压维持在一定范围内，极大地简化了线路结构；独特的由三极管T3、三极管T4组成的过压箝位取样电路，使得输出箝位电压可以随意设置；主箝位管T2动态响应性能好，可实现对385V/20ms浪涌电压的抑制；使芯片1C的功能得到很大延深。本技术能够有效地抑制供电电源的浪涌电压，向DC/DC电源变换器传送安全、适配的输入电压。 【附图说明】 图1是专利文献《瞬时电压尖峰与瞬时电压浪涌抑制器》的工作原理图； 图2是本技术的工作原理图； 图3是自举升压电路的简图； 图4是过压箝位取样电路的简图。 【具体实施方式】 下面结合附图对本技术作进一步详细的说明。 如图2所示的一种浪涌电压抑制电路，本电路的输入端与具有外部振荡端子的PWM芯片1C相连接，本电路的输出端与负载Rload相连接，它包括主箝位管驱动电路和过压箝位取样电路，主箝位管驱动电路包括103管12、稳压二极管025、电阻87和自举升压电路，103管12的漏极与电源正极相连接，103管12的源极稳压二极管025的正极相连接，103管12的栅极与稳压二极管025的负极相连接、与电阻87的一端相连接，自举升压电路、过压箝位取样电路分别与芯片X的管脚相连接。 如图3自举升压电路由电容器⑶、二极管01、二极管02、电容器⑶组成，电容器⑶的一端与稳压二极管025的正极相连接，电容器05的另一端与电阻07的另一端相连接、二极管01的负极相连接，二极管01的正极与二极管02的负极、电容器⑶的一端相连接，二极管02的正极与稳压二极管025的正极相连接，电容器⑶的另一端与芯片X的第6脚相连接，电容器⑶为隔离电容，当其为上正下负时，通过二极管01、二极管02为电容器⑶充电，经过几个周期之后，电容器⑶两端电压上升，当电容器⑶两端电压大于103管12的开启电压时，103管12的导通，形成输出电压70此。 如图3所示的电压回路中，103管12的栅极电压(其中V为电容⑶两端电压 稳压二极管025用来保护103管12的栅源电压不超过其极限值。 如图4所示的过压箝位取样电路由三极管13、三极管14、电阻…、电阻阳、电阻尺6、电阻狀组成，三极管13、三极管14为同一型号、同一批次的两个三极管，三极管13的基极与芯片X的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浪涌电压抑制电路，本电路的输入端与具有外部振荡端子的PWM芯片IC相连接，本电路的输出端与负载Rload相连接，其特征在于：它包括主箝位管驱动电路和过压箝位取样电路，所述主箝位管驱动电路包括MOS管T2、稳压二极管DZ5、电阻R7和自举升压电路，所述MOS管T2的漏极与电源正极相连接，所述MOS管T2的源极与所述稳压二极管DZ5的正极相连接，所述MOS管T2的栅极与所述稳压二极管DZ5的负极相连接，与所述电阻R7的一端相连接，所述自举升压电路、过压箝位取样电路分别与所述芯片IC的管脚相连接。

【技术特征摘要】
1.一种浪涌电压抑制电路，本电路的输入端与具有外部振荡端子的PWM芯片IC相连接，本电路的输出端与负载Rload相连接，其特征在于:它包括主箝位管驱动电路和过压箝位取样电路，所述主箝位管驱动电路包括MOS管T2、稳压二极管DZ5、电阻R7和自举升压电路，所述MOS管T2的漏极与电源正极相连接，所述MOS管T2的源极与所述稳压二极管DZ5的正极相连接，所述MOS管T2的栅极与所述稳压二极管DZ5的负极相连接，与所述电阻R7的一端相连接，所述自举升压电路、过压箝位取样电路分别与所述芯片IC的管脚相连接。2.根据权利要求1所述的浪涌电压抑制电路，其特征在于:所述自举升压电路由电容器C5、二极管D1、二极管D2、电容器C6组成，所述电容器C5的一端与稳压二极管DZ5的正极相连接，所述电容器C5的另一端与所述电阻R7的另一端相连接、与所述二极管Dl的负极相连接，所述二极管Dl的正极与所述二极管D2的负极、所述电容器C6的一端相连接，所述二极管D2的正极与所述稳压二极管DZ5的正极相连接，所述电容器C6的另一端与所述芯片IC的第6脚相连接，所述电容器C6为隔离电容，当其为上正下负时，通过所述二极管D1、二极管D2为所述电容器C5充电，经过几个周期之后，所述电容器C5两...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭诚实，何远，
申请(专利权)人：天水华天微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：甘肃;62