多层陶瓷电子元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种多层陶瓷电子元件及其制造方法，该多层陶瓷电子元件包括：具有介电层的陶瓷主体；以及陶瓷主体内的被布置为彼此相对且介电层介于其间的内电极，其中，当介电层的平均厚度为td且内电极的平均厚度为te时，满足0.1μm≤te≤0.5μm和(td+te)/te≤2.5，并且，当内电极的虚拟表面粗糙度中线上的平均表面粗糙度为Ra且内电极的十点平均粗糙度为Rz时，满足5nm≤Ra≤30nm、150nm≤Rz≤td/2以及8≤Rz/Ra≤20。通过提高介电层和内电极之间的粘附强度和耐压特性，该多层陶瓷电子元件具有良好的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种介电层和内电极之间具有极好粘附强度的多层陶瓷电子元件。
技术介绍
顺应近来电子产品小型化的趋势，对小尺寸大电容多层陶瓷电子元件的需求也在增加。因此，通过各种方式，介电层和内电极层已被薄化且增加为多层。近来，随着介电层变薄，已经生产出具有更多叠层数量的多层陶瓷电子元件。而且，为了获得更薄的内电极，近来已经生产了包括微细金属粉末制成的内电极的陶瓷电子元件。然而，在这种情况下，内电极表面粗糙度可能被逐渐减小，介电层和内电极之间的粘附可能被劣化。这可能会导致在多层陶瓷电子元件的生产过程中介电层和内电极发生层离，使得可靠性降低。
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供了一种介电层和内电极之间具有极好粘附强度的多层陶瓷电子元件。根据本专利技术的一个方面，提供了一种多层陶瓷电子元件，包括具有介电层的陶瓷主体；以及陶瓷主体内的被布置为彼此相对且介电层介于其间的第一和第二内电极，其中， 当介电层的平均厚度为td且内电极的平均厚度为te时，满足O. 1μ < te < O. 5μπι和 (td+te)/te ( 2. 5，当内电极的虚拟表面粗糙度中线上的平均表面粗糙度为Ra本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层陶瓷电子元件，包括：陶瓷主体，包括介电层；以及第一和第二内电极，位于所述陶瓷主体内，被布置为彼此相对且所述介电层介于其间，其中，当所述介电层的平均厚度为td且所述内电极的平均厚度为te时，满足0.1μm≤te≤0.5μm和(td+te)/te≤2.5，并且，当所述内电极的虚拟表面粗糙度中线上的平均表面粗糙度为Ra且所述内电极的十点平均粗糙度为Rz时，满足5nm≤Ra≤30nm、150nm≤Rz≤td/2以及8≤Rz/Ra≤20。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金钟翰，郑贤哲，朴宰满，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：