多层陶瓷电子组件制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种多层陶瓷电子组件，更具体地讲，涉及一种具有优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。
技术介绍
根据近来电子产品小型化的趋势，对具有小尺寸和大电容的多层陶瓷电子组件的需求也在增加。因此，已经通过各种方法使介电层和内电极层变薄并且介电层和内电极层日益变得多层。近来，随着介电层变薄，已经制造了具有增加数量的层叠的层的多层陶瓷电子组·件。因为为了实现更大的电容而使介电层和内电极层变薄，所以内电极层的厚度会不均匀或者不能连续地保持内电极层的厚度，因此内电极层会被局部地断开，从而导致在内电极层的连接性方面产生断开。此外，由于内电极层断开，所以尽管介电层具有均匀的平均厚度，但是介电层被局部加厚或者局部变薄。在介电层变薄的部分中绝缘特性会被劣化，导致可靠性劣化。同时，包含在内电极膏中的细粒陶瓷粉末在烧结工艺中泄露到介电层中，从而导致与内电极层接触的介电颗粒的不正常颗粒生长。这会导致多层陶瓷电子组件的可靠性劣化。
技术实现思路
本专利技术的一方面提供了一种具有优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。根据本专利技术的一方面，提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括陶瓷...
【技术保护点】
一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括平均厚度为0.6μm或更小的介电层；以及第一内电极层和第二内电极层，位于陶瓷主体内并设置为彼此面对，介电层设置在第一内电极层和第二内电极层之间，其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，并且当介电层的平均厚度被定义为td，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为De时，满足De/td≤0.35。
【技术特征摘要】
2011.07.28 KR 10-2011-00750841.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括 陶瓷主体，包括平均厚度为O. 6 μ m或更小的介电层；以及 第一内电极层和第二内电极层，位于陶瓷主体内并设置为彼此面对，介电层设置在第一内电极层和第二内电极层之间， 其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，并且 当介电层的平均厚度被定义为td，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为队时，满足De/td < O. 35。2.根据权利要求I所述的多层陶瓷电子组件，其中，当非接触介电颗粒的平均直径被定义为D。时，满足Dc/td ^ O. 25。3.根据权利要求I所述的多层陶瓷电子组件，其中，当添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Di,并且在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd时，满足O. I < DiZDd < I。4.根据权利要求I所述的多层陶瓷电子组件，其中，添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末与在介电层中采用的陶瓷粉末具有相同的组成。5.根据权利要求I所述的多层陶瓷电子组件，其中，第一内电极层或第二内电极层具有80%或更大的连续性。6.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括 陶瓷主体，包括平均厚度为O. 6 μ m或更小的介电层；以及 第一内电极层和第二内电极层，形成在陶瓷主体内，第一内电极层和第二内电极层均具有80%或更大的连续性， 其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，并且 当介电层的平均厚度被定义为td，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为队时，满足De/td < O. 35。7.根据权利要求6所述的多层陶瓷电子组件，其中，当非接触介电颗粒的平均直径被定义为D。时，满足Dc/td ^ O. 25。8.根据权利要求6所述的多层陶瓷电子组件，其中，当添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Di,并且在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd时，满足O. I < DiZDd < I。9.根据权利要求6所述的多层陶瓷电子组件，其中，添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末与...
【专利技术属性】
技术研发人员：金相赫，李章镐，徐珠明，崔圣赫，裴钟勋，金俊熙，宋璿基，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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