多层陶瓷电子组件制造技术

提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括平均厚度为0.6μm或更小的介电层；以及第一内电极层和第二内电极层，位于陶瓷主体内并设置为彼此面对，介电层设置在第一内电极层和第二内电极层之间，其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，并且当介电层的平均厚度被定义为td，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为De时，满足De/td≤0.35。所述多层陶瓷电子组件具有改进的内电极层的连续性、大的电容、延长的加速寿命以及优良的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种多层陶瓷电子组件，更具体地讲，涉及一种具有优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。
技术介绍
根据近来电子产品小型化的趋势，对具有小尺寸和大电容的多层陶瓷电子组件的需求也在增加。因此，已经通过各种方法使介电层和内电极层变薄并且介电层和内电极层日益变得多层。近来，随着介电层变薄，已经制造了具有增加数量的层叠的层的多层陶瓷电子组·件。因为为了实现更大的电容而使介电层和内电极层变薄，所以内电极层的厚度会不均匀或者不能连续地保持内电极层的厚度，因此内电极层会被局部地断开，从而导致在内电极层的连接性方面产生断开。此外，由于内电极层断开，所以尽管介电层具有均匀的平均厚度，但是介电层被局部加厚或者局部变薄。在介电层变薄的部分中绝缘特性会被劣化，导致可靠性劣化。同时，包含在内电极膏中的细粒陶瓷粉末在烧结工艺中泄露到介电层中，从而导致与内电极层接触的介电颗粒的不正常颗粒生长。这会导致多层陶瓷电子组件的可靠性劣化。
技术实现思路
本专利技术的一方面提供了一种具有优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。根据本专利技术的一方面，提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体，包括平均厚度为O. 6 μ m或更小的介电层；以及第一内电极层和第二内电极层，位于陶瓷主体内并设置为彼此面对，介电层设置在第一内电极层和第二内电极层之间，其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，并且当介电层的平均厚度被定义为td，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为队时，满足Dytd < O. 35。当非接触介电颗粒的平均直径被定义为D。时，可以满足De/td ( O. 25。当添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Di,并且在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd时，可以满足O. I <Di/Dd< I。添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末与在介电层中采用的陶瓷粉末可以具有相同的组成。第一内电极层或第二内电极层可以具有80 %或更大的连续性。根据本专利技术的另一方面，提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体，包括平均厚度为O. 6 μ m或更小的介电层；以及第一内电极层和第二内电极层，形成在陶瓷主体内，第一内电极层和第二内电极层均具有80%或更大的连续性，其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，并且当介电层的平均厚度被定义为td，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为队时，满足Dytd < O. 35。根据本专利技术的另一方面，提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体，包括层叠在其中并且平均厚度为O. 6μπι或更小的多个介电层；以及多个第一内电极层和多个第二内电极层，形成在陶瓷主体内，其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，并且当介电层的平均厚度被定义Std，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为 De 时，满足 De/td ^ O. 35。·根据本专利技术的另一方面，提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体，包括层叠在其中并且平均厚度为O. 6μπι或更小的多个介电层；以及多个第一内电极层和多个第二内电极层，形成在陶瓷主体内，第一内电极层和第二内电极层均具有80 %或更大的连续性，其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，并且当介电层的平均厚度被定义为td，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为队时，满足Dytd < O. 35。附图说明从结合附图进行的下面的详细描述，本专利技术的以上和其它方面、特征和其它优点将变得更容易理解，在附图中图I是示意性地示出根据本专利技术实施例的多层陶瓷电容器的透视图；图2示出了沿着图I中的线B-B'截取的剖视图以及示出内电极层的连续性的放大图；图3示出了沿着图I中的线B-B'截取的剖视图以及示出接触介电颗粒和非接触介电颗粒的放大图。具体实施例方式现在将参照附图详细描述本专利技术的实施例。然而，本专利技术可以以许多不同的形式实施，而不应解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并将把本专利技术的范围充分传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见，会夸大组件的形状和尺寸，将使用相同的标号始终指示相同或相似的组件。图I是示意性地示出根据本专利技术实施例的多层陶瓷电容器的透视图。图2是沿着图I中的线B-B'截取的剖视图以及示出内电极层的连续性的放大图。图3是沿着线B-B'截取的图I的剖视图以及示出接触介电颗粒和非接触介电颗粒的放大图。参照图I至图3，根据本专利技术实施例的多层陶瓷电子组件可以包括陶瓷主体10，包括平均厚度为O. 6 μ m或更小的介电层I ;第一内电极层21和第二内电极层22，设置为彼此面对并且位于陶瓷主体10内，介电层I设置在第一内电极层21和第二内电极层22之间。介电层I可以包括与第一内电极层21或第二内电极层22接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层21或第二内电极层22接触的非接触介电颗粒。当介电层I的平均厚度被定义为td，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为De时，可以满足De/td ( O. 35。同时，根据本专利技术另一实施例的多层陶瓷电子组件可以包括陶瓷主体10，包括平均厚度为O. 6 μ m或更小的介电层I ;第一内电极层21和第二内电极层22，形成在陶瓷主体10内，第一内电极层21和第二内电极层22均具有80%或更高的连续性。介电层I可以包括与第一内电极层21或第二内电极层22接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层21或第二内电极层22接触的非接触介电颗粒。当介电层的平均厚度被定义为td，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为D6时，可以满足De/td < O. 35。第一内电极层21和第二内电极层22可以使用由例如贵金属材料(诸如，钯(Pd)、钯-银(Pd-Ag)合金等)、镍(Ni)和铜(Cu)中的至少一种制成的导电膏形成，但不具体地限于此。 外电极3可以形成在陶瓷主体10的外部，从而形成电容，并且外电极3可以与第一内电极层21和第二内电极层22电连接。外电极3可以由与内电极层的导电材料相同的导电材料形成，但是不限于此。例如，铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)等可以用于外电极3。可以通过涂覆将玻璃料添加在金属粉末中制备的导电膏、然后进行烧结工艺来形成外电极3。根据本专利技术的实施例，介电层I的平均厚度可以为O. 6μπι或更小。在本专利技术的实施例中，介电层I的厚度可以指设置在内电极层21和22之间的介电层I的平均厚度。介电层I的平均厚度可以利用扫描电子显微镜(SEM)通过扫描沿着陶瓷主体10的长度方向的截面来测量，如图2中所示。例如，如图2中所示，可以如下获得介电层I的平均厚度在从通过利用扫描电子显微镜(SEM)扫描在沿陶瓷主体10的宽度(W)方向的中心部分截取的沿长度-厚度(L-T)方向的截面所获得的图像中提取的任何一个介电层中，测量沿着长度方向的30个等距本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括平均厚度为0.6μm或更小的介电层；以及第一内电极层和第二内电极层，位于陶瓷主体内并设置为彼此面对，介电层设置在第一内电极层和第二内电极层之间，其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，并且当介电层的平均厚度被定义为td，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为De时，满足De/td≤0.35。

【技术特征摘要】
2011.07.28 KR 10-2011-00750841.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括 陶瓷主体，包括平均厚度为O. 6 μ m或更小的介电层；以及 第一内电极层和第二内电极层，位于陶瓷主体内并设置为彼此面对，介电层设置在第一内电极层和第二内电极层之间， 其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，并且 当介电层的平均厚度被定义为td，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为队时，满足De/td < O. 35。2.根据权利要求I所述的多层陶瓷电子组件，其中，当非接触介电颗粒的平均直径被定义为D。时，满足Dc/td ^ O. 25。3.根据权利要求I所述的多层陶瓷电子组件，其中，当添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Di,并且在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd时，满足O. I < DiZDd < I。4.根据权利要求I所述的多层陶瓷电子组件，其中，添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末与在介电层中采用的陶瓷粉末具有相同的组成。5.根据权利要求I所述的多层陶瓷电子组件，其中，第一内电极层或第二内电极层具有80%或更大的连续性。6.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括 陶瓷主体，包括平均厚度为O. 6 μ m或更小的介电层；以及 第一内电极层和第二内电极层，形成在陶瓷主体内，第一内电极层和第二内电极层均具有80%或更大的连续性， 其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，并且 当介电层的平均厚度被定义为td，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为队时，满足De/td < O. 35。7.根据权利要求6所述的多层陶瓷电子组件，其中，当非接触介电颗粒的平均直径被定义为D。时，满足Dc/td ^ O. 25。8.根据权利要求6所述的多层陶瓷电子组件，其中，当添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Di,并且在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd时，满足O. I < DiZDd < I。9.根据权利要求6所述的多层陶瓷电子组件，其中，添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末与...

【专利技术属性】
技术研发人员：金相赫，李章镐，徐珠明，崔圣赫，裴钟勋，金俊熙，宋璿基，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：