【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种片式层压电容器，该片式层压电容器能够在向其供电时降低内电极之间产生的声噪音，同时实现小型化并具备高电容。
技术介绍
随着对小体积且多功能电子设备的趋势，对嵌入电子设备中的紧凑、高电容的片式层压电容器的需求也增加。为了降低片式层压电容器的体积并增加其电容，需要使用高介电常数(highdielectric permittivity)的材料(例如,钛酸钡(barium titanate))作为形成介电层的陶瓷材料。当将交流电压和直流电压施加在包括具有高介电常数的材料形成的介电层的片式层压电容器上，内电极之间会产生压电现象并且会产生振动。基于相同的电容，在芯片相对较大并且介电层的介电常数较高的情况下，上述振动可能过大。所述振动从片式层压电容器的外电极传递至电路板，所述片式层压电容器安装在所述电路板上。在这种情况中，所述电路板振动，以产生共振。S卩，当所述电路板的振动产生的共振在听得见的频率(20至20，OOOHz)范围内时，电路板内的振动的声音可能会使人感觉不快，其中所述振动声音被称作声噪音。因此，由于使用铁电材料(ferroelectric mate...
【技术保护点】
一种片式层压电容器，该片式层压电容器包括：陶瓷本体，该陶瓷本体包括介电层，该介电层的厚度为该介电层中所包括的晶粒的平均粒径的10倍或更多，并且所述介电层的厚度为3μm或更小；第一外电极和第二外电极，该第一外电极和第二外电极形成在所述陶瓷本体的长度方向的两端；第一带部和第二带部，该第一带部和第二带部分别形成为从所述第一外电极和所述第二外电极在所述陶瓷本体的长宽（L？W）平面上沿所述长度方向向内延伸，所述第一带部和所述第二带部具有不同的长度；以及第三带部和第四带部，该第三带部和第四带部分别形成为从所述第一外电极和所述第二外电极在所述陶瓷本体的长厚（L？T）平面上沿所述长度方向向...
【技术特征摘要】
2011.06.23 KR 10-2011-00613441.一种片式层压电容器，该片式层压电容器包括 陶瓷本体，该陶瓷本体包括介电层，该介电层的厚度为该介电层中所包括的晶粒的平均粒径的10倍或更多，并且所述介电层的厚度为3 μ m或更小； 第一外电极和第二外电极，该第一外电极和第二外电极形成在所述陶瓷本体的长度方向的两端； 第一带部和第二带部，该第一带部和第二带部分别形成为从所述第一外电极和所述第二外电极在所述陶瓷本体的长宽(L-W)平面上沿所述长度方向向内延伸，所述第一带部和所述第二带部具有不同的长度；以及 第三带部和第四带部，该第三带部和第四带部分别形成为从所述第一外电极和所述第二外电极在所述陶瓷本体的长厚(L-T)平面上沿所述长度方向向内延伸，所述第三带部和所述第四带部具有不同的长度。2.根据权利要求I所述的片式层压电容器，其中，第五带部和第六带部形成在所述陶瓷本体的表面上，该表面沿层压方向与所述陶瓷本体上的形成有所述第一带部和所述第二带部的一个表面相对设置， 第七带部和第八带部形成在所述陶瓷本体的表面上，该表面沿宽度方向与所述陶瓷本体上的形成有所述第三带部和所述第四带部的一个表面相对设置，以及 所述第一带部至第八带部满足以下条件(1)、(2)、(3)和(4)中的至少一个 3% ^ BffaveI/L ^ 40% (I) 3% ( Bffave2/L ( 40% (2) 3% ( Bffave3/L ( 40% (3)，以及 3% ( Bffave4/L ( 40% (4) 其中，Bffavel表示所述第一带部的长度Al和所述第二带部的长度A2的平均值，Bffavel= (A1+A2)/2, Bffave2表示所述第三带部的长度BI和所述第四带部的长度B2的平均值，Bffave2=(Bl+B2)/2, Bffave3表示所述第五带部的长度Cl和所述第六带部的长度C2的平均值，BWave3= (C1+C2) /2,Bffave4表示所述第七带部的长度Dl和所述第八带部的长度D2的平均值，Bffave4=(Dl+D2)/2,以及 Al表示所述第一带部的长度，A2表示所述第二带部的长度，BI表示所述第三带部的长度，B2表示所述第四带部的长度，Cl表示所述第五带部的长度，C2表示所述第六带部的长度，Dl表示所述第七带部的长度，以及D2表示所述第八带部的长度。3.根据权利要求2所述的片式层压电容器，其中，在所述陶瓷本体的一个表面上的带部的长度之间的差值的绝对值和所述BWavel至BWave4满足以下条件(5)、(6)、(7)和(8)中的至少一个5% 彡 I A1-A2 I /Bffavel ^ 20% (5)5% ( I B1-B2 I /Bffave2 ( 20% (6) 5% ( I C1-C2 I /Bffave3 ( 20% (7)，以及 5% 彡 I D1-D2 I /Bffave4 ( 20% (8) 其中，Al表示所述第一带部的长度，A2表示所述第二带部的长度，BI表示所述第三带部的长度，B2表示所述第四带部的长度，Cl表示所述第五带部的长度，C2表示所述第六带部的长度，Dl表示所述第七带部的长度，以及D2表示所述第八带部的长度，其中Cl古C2并且Dl关D2。4.一种片式层压电容器，该片式层压电容器包括 第一外电极和第二外电极，该第一外电极和第二外电极形成在陶瓷本体的长度方向的两端，所述陶瓷本体具有六面体形状；以及第一带部至第八带部，该第一带部至第八带部分别从所述第一外电极和所述第二外电极沿所述陶瓷本体的长度方向向内延伸，所述第一带部至第八带部分别沿长宽(L-W)平面在第一表面和第三表面上并且沿长厚(L-T)平面在第二表面和第四表面上彼此相对形成，其中，形成在所述第一表面至所述第四表面中的至少一个上的带部的长度彼此不同，以及 在所述第一表面至所述第四表面中的至少一个上的一个带部的长度与具有与所述一个带部相同的极性并且形成在与所述一个带部形成的表面连续的另一个表面上的另一个带部的长度不同。5.根据权利要求4所述的片式层压电容器，其中，形成在所述第一表面上的所述第一带部和形成在所述第二表面上的所述第三带部具有不同的长度。6.根据权利要求4所述的片式层压电容器，其中，具有相同的极性并且形成在彼此相对的表面上的带部的长度彼此不同。7.根据权利要求4所述的片式层压电容器，其中，在所述陶瓷本体的相同表面上的彼此相对的带部的高度彼此不同。8.根据权利要求4所述的片式层压电容器，其中，所述介电层的厚度为3μ m或更小，并且所述介电层的厚度为该介电层中所包括的晶粒的平均粒径的10倍或更多。9.根据权利要求4所述的片式层压电容器，其中，所述第一带部至第八带部满足以下条件(I)、(2)、(3)和(4)中的至少一个 3% ( BffaveI/L ( 40% (I) ...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋永圭，李炳华，朴珉哲，宋永训，李美希，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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