薄膜电容器、多层布线板和半导体器件制造技术

本发明专利技术提供能够减小电感、抑制有效电极面积减小并实现小型化的薄膜电容器、多层布线板以及半导体器件，所述薄膜电容器包括：第一电容性元件，其各自包括具有第一极性的电极层和具有第二极性的电极层，并布置在特定位置周围；第二电容性元件，其各自包括具有第二极性的电极层和具有第一极性的电极层，并且与第一电容性元件交替布置在特定位置周围；单个公共连接孔，其设置在特定位置处并连接第一电容性元件的具有第一极性的全部电极层和第二电容性元件的具有第一极性的全部电极层；以及单独连接孔，其设置在公共连接孔周围并且连接第一电容性元件的具有第二极性的各电极层和第二电容性元件的具有第二极性的相邻的电极层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及优选适用于去耦电容器等的薄膜电容器、诸如内置有该薄膜电容器的印刷布线板或者转接板(interposer)的多层布线板、以及包括该多层布线板的半导体器件。
技术介绍
随着电子电路的高速化、高容量化和高密度化，当电源电压降低时功率和电流增力口，并且在现有的电子系统中电源分配成为显著的问题。在开关晶体管电路中对负载进行充电时电流是必不可少的，并且该电流是通过去耦电容器供给的，且不可能从电压调制模块(voltage regulator module, VRM)供给。去I禹电容器通过等效串联电感(equivalentseries inductance, ESL)成分和电容器的电容引起谐振现象,并且在高于谐振频率的区域中用作电感并导致阻抗增加。去耦电容器尽可能近地放置在半导体器件附近以降低ESL。另外，为了实现比表面安装型电容器的阻抗更低的阻抗，人们进行了这样一项研究在电源面与接地面之间使用薄的介电材料在半导体封装或者板子中内置电容器(例如，见非专利文献 I (Prathap K. Muthana, Design of high speed package and boardsu本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜电容器，其包括：多个第一电容性元件，各个所述第一电容性元件包括在介电层的上表面上的具有第一极性的电极层和在所述介电层的下表面上的具有第二极性的电极层，并且布置在特定位置周围；多个第二电容性元件，各个所述第二电容性元件包括在所述介电层的上表面上的具有第二极性的电极层和在所述介电层的下表面上的具有第一极性的电极层，并且与所述多个第一电容性元件交替布置在所述特定位置周围；单个公共连接孔，其设置在所述特定位置处并用于连接所述多个第一电容性元件的具有第一极性的全部电极层和所述多个第二电容性元件的具有第一极性的全部电极层；以及多个单独连接孔，其设置在所述公共连接孔周围并且用于将所述多个第一电容性元...

【技术特征摘要】
2011.06.23 JP 2011-1398361.一种薄膜电容器，其包括 多个第一电容性元件，各个所述第一电容性元件包括在介电层的上表面上的具有第一极性的电极层和在所述介电层的下表面上的具有第二极性的电极层，并且布置在特定位置周围； 多个第二电容性元件，各个所述第二电容性元件包括在所述介电层的上表面上的具有第二极性的电极层和在所述介电层的下表面上的具有第一极性的电极层，并且与所述多个第一电容性元件交替布置在所述特定位置周围； 单个公共连接孔，其设置在所述特定位置处并用于连接所述多个第一电容性元件的具有第一极性的全部电极层和所述多个第二电容性元件的具有第一极性的全部电极层；以及 多个单独连接孔，其设置在所述公共连接孔周围并且用于将所述多个第一电容性元件的具有第二极性的各电极层连接至所述多个第二电容性元件的具有第二极性的相邻的电极层。2.如权利要求I所述的薄膜电容器，其中，所述多个单独连接孔各向同性地布置在所述公共连接孔周围。3.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：六波罗真仁，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
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