【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电容器制造领域，具体涉一种三维硅基片式薄膜电容器及其制造方法。
技术介绍
随着电子技术的发展，电子信息产业进入后摩尔时代。无源器件在线路板中所占体积比也越来越大，与电子线路“微型化、集成化、智能化”的发展趋势的矛盾日渐突出。为了解决这一日渐突出的矛盾，电容器作为最基本的无源器件，其不可必免地要朝着体积小，容量大，功耗低，性能稳定的方向发展。在不改变体积的情况下，电容器的电容量的增加可以通过采用高K介质材料、增大电极面积和减小电极间距的方式来实现；高K介质的使用会对电容器的温度特性存在影响；减小电极间距必然导致电容器的介质耐电降低。因此，只有通过增大电极面积来满足电子线路“微型化、集成化、智能化”的需求。硅材料因其性能优良，价格便宜，制备方便而广泛使用在半导体产业中。三维硅基片式薄膜电容器主要应用在航空航天、军事雷达、计算机通信，便携式电子设备，汽车能源，家用电子等领域。随着硅基薄膜电容器的制造技术的不断进步，其性能将不断得到提升，应用范围将不断扩大，进而推动硅基类器件技术的发展，提高我国的元器件技术水平，使我国的电子元器件产品质量和挡次向更高层次发...
【技术保护点】
一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：包括硅基体、微型孔洞、氧化硅层、氮化硅层、顶部打底层、顶部金层、背部打底层和背部金层，所述硅基体一侧为抛光面，该抛光面上设有若干个微形孔洞；所述硅基体的微形孔洞内壁和底部设有氧化硅层，在氧化硅层上设有氮化硅层；所述顶部打底层设置在氮化硅层上，在顶部打底层上设置顶部金层，所述背部打底层设置在硅基体的另一侧，在背部打底层上设有背部金层。
【技术特征摘要】
1.一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：包括硅基体、微型孔洞、氧化硅层、氮化硅层、顶部打底层、顶部金层、背部打底层和背部金层，所述硅基体一侧为抛光面，该抛光面上设有若干个微形孔洞；所述硅基体的微形孔洞内壁和底部设有氧化硅层，在氧化硅层上设有氮化硅层；所述顶部打底层设置在氮化硅层上，在顶部打底层上设置顶部金层，所述背部打底层设置在硅基体的另一侧，在背部打底层上设有背部金层。2.根据权利要求1所述的一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：所述硅基体为硅材料，单面抛光，粗糙度要求0.05～0.1，晶向100，该硅材料为低阻率硅基体，电阻率要求小于0.01Ω·cm，硅基体厚度不小于400μm。3.根据权利要求1所述的一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：所述微形孔洞的孔径2-10μm，孔深5-80μm。4.根据权利要求1所述的一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：所述顶部打底层和背部打底层为钛钨合金，厚度150～200nm；顶部金层厚度为2～4μm，采用电镀方式加厚。5.根据权利要求1所述的一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：所述背部金层采用溅射镀膜方式实现，厚度0.8～1.5μm。6.根据权利要求1-5任意一项所述的一种三维硅基片式薄膜电容器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，清洗：选取低电阻率硅基体，即电阻率小于0.01Ω·cm，厚度不小于400μm，单面抛光，100晶向硅基体；用标准的1号硅片清洗液、2号硅片清洗液、丙酮、酒精和去离子水清洗甩干，以待备用；步骤2，热氧化：将硅基体送入氧化炉中进行干氧氧化，温度780℃，氮气10L/min，氧气6L/min，时间20～60min；步骤3，光刻：旋转涂胶；在95～110℃的热板上烘烤90±10秒；选取合适掩膜版，15±5秒时间的曝光；显影；用8％的HF溶液腐蚀二氧化硅层形成刻蚀窗口；最后在120±10℃的热板上烘干5～10分钟；步骤4，孔洞刻蚀：利用博世刻蚀技术，在ICP刻蚀机中进行孔洞刻蚀；孔径2-10μm，孔深5-80μm，刻蚀参数：线圈功率500W，极板功率20W，腔体气压3.5Pa，SF6流量135mL/min，C4F8流量8mL/min，氧气流量8mL/min，刻蚀时间7秒；钝化参数：线圈功率500W，极板功率0...
【专利技术属性】
技术研发人员：贺勇，张铎，朱雪婷，尚超红，宋丽娟，吴晟杰，龙立铨，陈雨露，郭冬英，韩玉成，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州;52
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