多层陶瓷电子元件制造技术

本发明专利技术提供了一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：具有介电层的陶瓷主体；以及在所述陶瓷主体中彼此相对配置且其间内置有所述介电层的内电极层，其中，当定义所述介电层的平均厚度为td时，该平均厚度td满足td≥15μm，且在每10μm所述介电层中介电粒子的数目是15以上。由于能够获得具有精细介电粉末的均匀的厚的介电层，能够实现具有优良耐压特性的高电压多层陶瓷电子元件。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种提高的耐电压特性的高压多层陶瓷电子元件。
技术介绍
随着电子产品已倾向于在尺寸上减小，因此，要求多层陶瓷电子元件在尺寸上减小且还具有大容量。 因而，通过各种方法试图努力使电介质以及内电极变薄且多层，最近，已经制造出增加了较薄介电层的层数的多层陶瓷电子元件。同时，要求用于实施高电压目的的多层陶瓷电子元件具有高耐电压特性。然而，当形成的该介电层过薄，它们可能会在相对较低的电压下破裂，难于在那里实施高电压。因而，当在那里实施高电压时，将介电层设计得更厚以减少在每个厚度上施加的电压，从而耐闻电压。另外，形成的内电极的印刷图形在内电极之间具有小的重叠部分，从而减少了施加给该内介电层的电压。然而，仍然需要具有优良耐高电压特性的高电压多层陶瓷电子元件。
技术实现思路
本专利技术一方面提供了一种提高耐电压特性的高压多层陶瓷电子元件。根据本专利技术的一个方面提供了一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括具有介电层的陶瓷主体；以及在所述陶瓷主体中彼此相对配置且其间内置有所述介电层的内电极层，其中，当定义所述介电层的平均厚度为“时，该平均厚度td满足td> 15μπι，且每ΙΟμπι所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：具有介电层的陶瓷主体；以及在所述陶瓷主体中彼此相对配置且其间内置有所述介电层的内电极层，其中，当定义所述介电层的平均厚度为td时，该平均厚度td满足td≥15μm，且在每10μm所述介电层中介电粒子的数目是15以上。

【技术特征摘要】
2011.07.26 KR 10-2011-00740421.一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括 具有介电层的陶瓷主体；以及 在所述陶瓷主体中彼此相对配置且其间内置有所述介电层的内电极层， 其中，当定义所述介电层的平均厚度为td时，该平均厚度td满足td > 15 μ m,且在每ΙΟμπι所述介电层中介电粒子的数目是15以上。2.根据权利要求I所述的元件，其中，所述内电极层包括多个第一内电极以及第二内电极，每个内电极的一个末端交替地暴露于所述陶瓷主体的对应相向的端面。3.根据权利要求I所述的元件，其中，所述内电极层包括多个具有对应的一个末端暴露于所述陶瓷主体在长度方向上的对应的端面的第一内电极以及第二内电极；以及至少一个或多个与其间内置有所述介电层的第一内电极以及第二内电极形成重叠区域的浮动电极。4.根据权利要求I所述的元件，其中，当定义所述介电粒子的平均颗粒直径为De时，所述平均颗粒直径De满足条件De < O. 4 μ m。5.根据权利要求I所述的元件，其中，当定义所述介电粒子的平均颗粒直径为De时，所述平均颗粒直径De满足条件O. 21 μ m < De < O. 4 μ m。6.根据权利要求I所述的元件，其中，所述介电层的平均厚度为在截取自所述陶瓷主体的宽度方向上的中心部分在长度方向和厚度方向的截面上的介电层的平均厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐炳吉，姜秉成，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：