多层陶瓷电子组件制造技术

提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；第一内电极层和第二内电极层，形成在所述陶瓷主体内，其中，当介电层的厚度被定义为td并且第一内电极层或第二内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。根据本发明专利技术，通过改进内电极层的厚度的均匀性，可以实现能够改进耐受电压特性并且具有优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电子组件本申请要求于2011年7月28日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0075083号韩国专利申请的优先权，该申请的公开内容通过引用被包含于此。
本专利技术涉及一种多层陶瓷电子组件，更具体地讲，涉及一种能够改进耐受电压特性并具有优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。
技术介绍
根据近来电子产品小型化的趋势，对具有小尺寸并且仍然具有大电容的多层陶瓷电子组件的需求已经增加。因此，已经通过各种方法使介电层和内电极层变薄并且介电层和内电极层日益变得多层。近来，由于介电层变薄，已经制造了具有增加数量的层叠的层的多层陶瓷电子组件。因为为了实现更大的电容而使介电层和内电极层变薄，所以内电极层的厚度会不均匀或者不能连续地保持内电极层的厚度，因此内电极层会被局部地断开，从而导致在内电极层的连接性方面产生断开。当内电极层的厚度不均匀时，相邻内电极层的厚部分会彼此靠近，导致击穿电压(BDV)特性劣化。上述问题导致绝缘特性劣化，使得多层陶瓷电子组件的可靠性劣化。
技术实现思路
本专利技术的一方面提供了一种能够具有改进的耐受电压特性和优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。根据本专利技术的一方面，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；第一内电极层和第二内电极层，形成在所述陶瓷主体内，其中，当介电层的厚度被定义为td并且第一内电极层或第二内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax？tmin)/td＜0.30。

【技术特征摘要】
2011.07.28 KR 10-2011-00750831.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；第一内电极层和第二内电极层，形成在所述陶瓷主体内，其中，当介电层的厚度被定义为td并且第一内电极层或第二内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，通过扫描在陶瓷主体的沿宽度方向的中心部分切割的沿着长度-厚度方向的截面来测量介电层的厚度。3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，当第一内电极层或第二内电极层的厚度被定义为te时，满足te≤0.6μm。4.根据权利要求3所述的多层陶瓷电子组件，其中，通过扫描在陶瓷主体的沿宽度方向的中心部分切割的沿着长度-厚度方向的截面来测量第一内电极层或第二内电极层的厚度。5.根据权利要求3所述的多层陶瓷电子组件，其中，介电层的厚度与第一内电极层或第二内电极层的厚度的比例td/te满足1.0≤td/te≤1.5。6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，当在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd，并且在第一内电极层和第二内电极层中使用的金属粉末颗粒的平均直径被定义为De时，满足0.8≤De/Dd≤1.2。7.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括层叠在其中的多个介电层；多个内电极层，形成在所述陶瓷主体内，其中，当多个介电层的平均厚度被定义为td并且从多个内电极层中选择的单个内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。8.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，其中，通过扫描在陶瓷主体的沿宽度方向的中心部分切割的沿着长度-厚度方向的截面来测量多个介电层的平均厚度。9.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金相赫，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：