多层陶瓷电子组件制造技术

提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；第一内电极层和第二内电极层，形成在所述陶瓷主体内，其中，当介电层的厚度被定义为td并且第一内电极层或第二内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。根据本发明专利技术，通过改进内电极层的厚度的均匀性，可以实现能够改进耐受电压特性并且具有优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电子组件本申请要求于2011年7月28日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0075083号韩国专利申请的优先权，该申请的公开内容通过引用被包含于此。
本专利技术涉及一种多层陶瓷电子组件，更具体地讲，涉及一种能够改进耐受电压特性并具有优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。
技术介绍
根据近来电子产品小型化的趋势，对具有小尺寸并且仍然具有大电容的多层陶瓷电子组件的需求已经增加。因此，已经通过各种方法使介电层和内电极层变薄并且介电层和内电极层日益变得多层。近来，由于介电层变薄，已经制造了具有增加数量的层叠的层的多层陶瓷电子组件。因为为了实现更大的电容而使介电层和内电极层变薄，所以内电极层的厚度会不均匀或者不能连续地保持内电极层的厚度，因此内电极层会被局部地断开，从而导致在内电极层的连接性方面产生断开。当内电极层的厚度不均匀时，相邻内电极层的厚部分会彼此靠近，导致击穿电压(BDV)特性劣化。上述问题导致绝缘特性劣化，使得多层陶瓷电子组件的可靠性劣化。
技术实现思路
本专利技术的一方面提供了一种能够具有改进的耐受电压特性和优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。根据本专利技术的一方面，提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；第一内电极层和第二内电极层，形成在所述陶瓷主体内，其中，当介电层的厚度被定义为td并且第一内电极层或第二内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。可以通过扫描在陶瓷主体的沿宽度(W)方向的中心部分切割的沿着长度-厚度(L-T)方向的截面来测量介电层的厚度。当第一内电极层或第二内电极层的厚度被定义为te时，可以满足te≤0.6μm。可以通过扫描在陶瓷主体的沿宽度(W)方向的中心部分切割的沿着长度-厚度(L-T)方向的截面来测量第一内电极层或第二内电极层的厚度。当在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd，并且在第一内电极层和第二内电极层中使用的金属粉末颗粒的平均直径被定义为De时，可以满足0.8≤De/Dd≤1.2。介电层的厚度与第一内电极层或第二内电极层的厚度的比例(td/te)可以满足1.0≤td/tc≤1.5。根据本专利技术的另一方面，提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括层叠在其中的多个介电层；多个内电极层，形成在所述陶瓷主体中，其中，当多个介电层的平均厚度被定义为td并且从多个内电极层中选择的单个内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。可以通过扫描在陶瓷主体的沿宽度(W)方向的中心部分切割的沿着长度-厚度(L-T)方向的截面来测量多个介电层的平均厚度。当从多个内电极层中选择的单个内电极层的平均厚度被定义为te时，可以满足te≤0.6μm。可以通过扫描在陶瓷主体的沿宽度(W)方向的中心部分切割的沿着长度-厚度(L-T)方向的截面的中心部分来测量从多个内电极层中选择的单个内电极层的平均厚度。当在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd，并且在内电极层中使用的金属粉末颗粒的平均直径被定义为De时，可以满足0.8≤De/Dd≤1.2。多个介电层的平均厚度与从多个内电极层中选择的单个内电极层的平均厚度的比例(td/te)可以满足1.0≤td/te≤1.5。根据本专利技术的另一方面，提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括层叠在其中的多个介电层；多个内电极层，形成在所述陶瓷主体内，其中，当多个介电层的平均厚度被定义为td并且多个内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。可以通过扫描在陶瓷主体的沿宽度(W)方向的中心部分切割的沿着长度-厚度(L-T)方向的截面来测量多个介电层的平均厚度。当多个内电极层的平均厚度被定义为te时，可以满足te≤0.6μm。可以通过扫描在陶瓷主体的沿宽度(W)方向的中心部分切割的沿着长度-厚度(L-T)方向的截面来测量多个内电极层的平均厚度。当在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd，并且在内电极层中使用的金属粉末颗粒的平均直径被定义为De时，可以满足0.8≤De/Dd≤1.2。多个介电层的平均厚度与多个内电极层的平均厚度的比例(td/te)可以满足1.0≤td/te≤1.5。附图说明从结合附图进行的下面的详细描述，本专利技术的以上和其它方面、特征和其它优点将变得更容易理解，在附图中：图1是示意性地示出根据本专利技术实施例的多层陶瓷电容器的透视图；图2是沿着图1中的线B-B′截取的剖视图；图3是示出图2中的部分A中的内电极层和介电层的厚度的放大图。具体实施方式现在将参照附图详细描述本专利技术的实施例。然而，本专利技术可以以许多不同的形式实施，而不应解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并将把本专利技术的范围充分传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见，会夸大组件的形状和尺寸，将使用相同的标号始终指示相同或相似的组件。图1是示意性地示出根据本专利技术实施例的多层陶瓷电容器的透视图。图2是沿着图1中的线B-B′截取的剖视图。图3是示出图2中的部分A中的内电极层和介电层的厚度的放大图。参照图1至图3，根据本专利技术实施例的多层陶瓷电子组件可以包括陶瓷主体10以及形成在陶瓷主体10内的第一内电极层21和第二内电极层22，陶瓷主体10包括介电层1。当介电层1的平均厚度被定义为td，第一内电极层21或第二内电极层22的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，可以满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。在下文中，将描述根据本专利技术实施例的多层陶瓷电子组件，具体地为多层陶瓷电容器，但是本专利技术不限于此。根据本专利技术的实施例，只要可以获得足够的电容，则用于形成介电层1的原材料不受具体限制。例如，原材料可以为钛酸钡(BaTiO3)粉末。作为用于形成介电层1的材料，可以将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘结剂、分散剂等添加到诸如钛酸钡(BaTiO3)粉末的粉末中，从而达到本专利技术的目的。用于形成第一内电极层21和第二内电极层22的材料不受具体限制，并且可以通过使用由例如贵金属材料(诸如，钯(Pd)、钯-银(Pd-Ag)合金等)、镍(Ni)和铜(Cu)中的至少一种制成的导电膏来形成用于形成第一内电极层21和第二内电极层22的材料。外电极3可以形成在陶瓷主体10的外部，从而形成电容，并且外电极3可以与第一内电极层21和第二内电极层22电连接。外电极3可以由与内电极层的导电材料相同的导电材料形成，但是不限于此。例如，铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)等可以用于外电极3。可以通过涂覆将玻璃料添加在金属粉末中制备的导电膏、然后进行烧结来形成外电极3。参照图2和图3，在根据本专利技术实施例的多层陶瓷电子组件中，介电层1的平均厚度td可以为0.6μm或更小。在本专利技术的实施例中，介电层1的厚度可以指设置在第一内电极层21和第二内电极层22之间的介电层1的平均厚度。介电层1的平均厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；第一内电极层和第二内电极层，形成在所述陶瓷主体内，其中，当介电层的厚度被定义为td并且第一内电极层或第二内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax？tmin)/td＜0.30。

【技术特征摘要】
2011.07.28 KR 10-2011-00750831.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；第一内电极层和第二内电极层，形成在所述陶瓷主体内，其中，当介电层的厚度被定义为td并且第一内电极层或第二内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，通过扫描在陶瓷主体的沿宽度方向的中心部分切割的沿着长度-厚度方向的截面来测量介电层的厚度。3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，当第一内电极层或第二内电极层的厚度被定义为te时，满足te≤0.6μm。4.根据权利要求3所述的多层陶瓷电子组件，其中，通过扫描在陶瓷主体的沿宽度方向的中心部分切割的沿着长度-厚度方向的截面来测量第一内电极层或第二内电极层的厚度。5.根据权利要求3所述的多层陶瓷电子组件，其中，介电层的厚度与第一内电极层或第二内电极层的厚度的比例td/te满足1.0≤td/te≤1.5。6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，当在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd，并且在第一内电极层和第二内电极层中使用的金属粉末颗粒的平均直径被定义为De时，满足0.8≤De/Dd≤1.2。7.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括层叠在其中的多个介电层；多个内电极层，形成在所述陶瓷主体内，其中，当多个介电层的平均厚度被定义为td并且从多个内电极层中选择的单个内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。8.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，其中，通过扫描在陶瓷主体的沿宽度方向的中心部分切割的沿着长度-厚度方向的截面来测量多个介电层的平均厚度。9.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金相赫，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：