一种测量和表征MOS晶体管器件失配特性的方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种测量和表征MOS器件失配特性的系统及方法，用于测量和表征MOS器件阵列中各尺寸MOS器件的失配特性。所述系统包括MOS器件阵列模块，地址模块、测试模块、计算转换模块、控制模块等，可计算得到MOS器件阵列中相同尺寸的MOS器件的电学参数的标准偏差，用以表征所述MOS器件阵列中该尺寸MOS器件的失配特性。本发明专利技术充分利用MOS器件阵列结构真正实现了在有限的局部区域内表征相同尺寸的器件之间的失配特性，而且利用地址译码电路极大地减少了测试所需的引脚数目，节省了测试芯片的面积，更无需进行大量计算，极大提升了工作效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，特别涉及一种MOS晶体管器件失配特性的测量和表征系统。
技术介绍
MOS器件的失配(mismatch)通常是指一组设计尺寸完全相同的MOS器件放置在非常接近的区域，其电学特性往往会表现出一定的差异性，它通常与掺杂工艺的随机涨落 (RandomDoping Fluctuation)以及器件尺寸的边缘效应(Line Edge Roughness)等因素密切相关。失配对于集成电路设计和制造的影响是显而易见的，尤其是随着工艺节点的不断缩小，失配的影响更是越来越突出，其典型实例是对于一个标准的6管SRAM，如果两侧对称的MOS晶体管产生较大的失配，则有可能导致SRAM的存储状态发生反转，从而导致存储模块的失效。因此，对于集成电路设计者而言，如果能准确地考虑到失配所带来的设计容差， 则有可能使所设计的产品获得更高的工艺成品率，于是如何准确地表征和提取MOS晶体管器件的失配模型参数便成为影响电路设计的关键因素之一。失配特性的表征和模型提取通常需要基于大量的数据进行统计分析，比较理想的做法是将尺寸完全相同的很多器件两两相邻放置在有限区域内，并对两两相邻的器件性能之间的差本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测量和表征MOS器件阵列中MOS器件失配特性的系统，其特征在于，所述系统包括：MOS器件阵列模块，包括多个信号选通器及由多个MOS器件组成的MOS器件阵列，每一个所述信号选通器耦接一个所述MOS器件；地址模块，耦接所述信号选通器，所述地址模块包括行地址译码选择电路及列地址译码选择电路，其根据地址位产生选择信号以通过所述信号选通器选定所述MOS器件阵列中的MOS器件；测试模块，耦接所述MOS器件，测试所述MOS器件的电学参数；计算转换模块，耦接所述测试模块，计算得到所述MOS器件阵列中相同尺寸的所述MOS器件的电学参数的标准偏差，并转换为该尺寸MOS器件的失配参数，以表征所述MOS器件阵列中...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭奥，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：