半导体元件的特性试验装置和半导体元件的特性试验方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体元件的特性试验装置和半导体元件的特性试验方法，其在对半导体芯片进行树脂密封的半导体元件中，同时进行树脂密封部（15）的绝缘强度试验和其它特性试验，能够减少试验成本，减少特性试验装置整体的占用面积。使用于对绝缘强度进行试验的电压施加器具（1）与半导体元件的树脂密封部（15）接触，对该电压施加器具（1）施加在静特性试验或动特性试验中施加的高电压，由此在进行特性试验（漏电流试验、耐压特性试验、L负载试验等）的同时进行树脂密封部（15）的绝缘强度试验。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体元件的特性试验装置和使用该装置进行的包括绝缘强度(耐 性)试验的特性试验方法，其对于具有T03P型等的树脂密封部的半导体元件，能够在进行现 有的特性试验的同时进行半导体芯片收纳于树脂密封部的半导体元件的树脂密封部的绝缘检查。
技术介绍
作为半导体元件的特性试验，有作为静特性试验的漏电流特性试验、耐压特性试 验等，作为动特性试验有L负载试验、开关试验等。图11是全模塑型(Full mold type)的IGBT20的结构图，图11 (a)是正面图，图11(b)是侧面图。该IGBT (绝缘栅型双极晶体管)是的上表面、下表面和侧面的全部面被 树脂密封的全模塑型的IGBT20。例如是T0-3PF型的树脂模制品。在作为金属基板的模片部21上焊接IGBT芯片22的背面23的未图示的集电极， 在该模片部21连接由引线框架形成的集电端子24a。IGBT芯片22的发射电极25和栅极 电极垫(焊盘)26分别经由结合接线27与由引线框架形成的发射端子24b、栅极端子24c连 接。模片部21、半导体芯片22、结合接线27和各端子24a、24b、24c的根部位置成为被树脂 密封的树脂密封本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件的特性试验装置，所述半导体元件包括：半导体芯片；该半导体芯片的背面的高电位电极所连接的导电体；与该导电体连接的高电位端子；通过连接导体与所述半导体芯片的低电位侧电极连接的低电位端子；通过连接导体与所述半导体芯片的控制电极连接的控制端子；和树脂密封部，其覆盖所述导电体的正面、所述半导体芯片、所述连接导体，该半导体元件的特性试验装置的特征在于：包括：与所述高电位端子、所述低电位端子、所述控制端子的各端子分别接触的试验探头；经由所述试验探头向所述高电位端子、所述低电位端子、所述控制端子的各端子施加规定的电压的电压施加单元；检测单元，其经由所述试验探头检测所述高电位端子、所述低电位端子、...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山本浩，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：