【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的测试,特别是涉及一种。
技术介绍
参见图I,传统对晶圆(wafer)上的芯片(die)进行中测(Circuit Prober, CP)的方法是将晶圆10固定放置于承载台上,然后探针卡于规定的测试区域20内对晶圆10上的die进行测试,将测试得到的芯片合格率与标准合格率进行比较,进而判断产品是否合格。之所以要规定测试区域20,是因为晶圆10的边缘会产生不完整的无效图形,在测试时需要将其排除,因此测试区域20的尺寸要小于晶圆10,等于晶圆的有效区域,以避免将晶圆10边缘的无效图形纳入测试区域20内。注意图I中的测试区域20仅是一示意,实际测试中可以是其它形状,例如圆形。另外晶圆10中的槽口(notch)未画出。然而,这种传统的测试方法如果出现了晶圆10固定于承载台上的位置偏离了预定位置的情况时,就会产生测试区域20偏离的问题,导致一部分不完整的无效图形进入测试区域20,同时一部分有效芯片偏出了测试区域20而无法被检测到,使得抽测良率不能客观真实地反映该被测晶圆的实际情况,从而不能准确筛选出符合标准的产品。
技术实现思路
基于此,有必要针对传统的 ...
【技术保护点】
一种晶圆中芯片的测试方法,包括下列步骤:设置一面积大于待测晶圆有效区域的测试区域,使测试区域能够完全覆盖所述有效区域;将所述待测晶圆置于承片台上,按照所述测试区域对所述待测晶圆进行测试;将测试得到的合格芯片数与标准合格数进行比较,若大于或等于所述标准合格数,则该待测晶圆符合标准。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王云锋,任炜强,
申请(专利权)人:深圳深爱半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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