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本发明涉及一种晶圆中芯片的测试方法,包括下列步骤:设置一面积大于待测晶圆有效区域的测试区域,使测试区域能够完全覆盖所述有效区域;将所述待测晶圆置于承片台上,按照所述测试区域对所述待测晶圆进行测试;将测试得到的合格芯片数与标准合格数进行比较,...该专利属于深圳深爱半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳深爱半导体股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种晶圆中芯片的测试方法,包括下列步骤:设置一面积大于待测晶圆有效区域的测试区域,使测试区域能够完全覆盖所述有效区域;将所述待测晶圆置于承片台上,按照所述测试区域对所述待测晶圆进行测试;将测试得到的合格芯片数与标准合格数进行比较,...