CMOS芯片信息清除电路制造技术

技术编号:8452562 阅读:158 留言:0更新日期:2013-03-21 11:49
一种CMOS芯片信息清除电路,包括一电池、第一至第五电阻、第一、第二场效应管、第一、第二二极管及开关单元,该第一二极管的阳极连接一第一备用电源,该第一二极管的阴极与第二二极管的阴极连接,该第二二极管的阳极通过第一电阻与该电池连接,该第二二极管的阴极通过第二电阻连接至该第一场效应管的漏极及该第二场效应管的栅极,该第一场效应管的栅极通过第三电阻连接一第二备用电源,该第一、第二场效应管的源极接地,该第二二极管的阴极还通过第四电阻、开关单元及第五电阻连接至第二场效应管的漏极,该第四电阻与开关单元之间的节点与CMOS芯片的数据复位端连接。该CMOS芯片信息清除电路可方便、快速清除CMOS芯片信息。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种CMOS芯片信息清除电路
技术介绍
通常利用电脑主板上的跳线来清除CMOS芯片信息或者恢复BIOS设置,使得用户在忘记CMOS密码或者BIOS设置无法启动电脑时可启动电脑。但跳线一般设置于机箱主板上,当需要清除CMOS芯片信息时,需打开机箱找到清除CMOS数据的跳线位置,再进行跳线操作,给用户带来极大的不便
技术实现思路
鉴于以上内容,有必要提供一种能快速方便地清除CMOS芯片信息的CMOS芯片信息清除电路。一种CMOS芯片信息清除电路,用于清除安装于主板上的CMOS芯片信息,该CMOS芯片信息清除电路包括一电池、第一至第五电阻、第一、第二场效应管、第一、第二二极管及开关单元,该第一二极管的阳极连接一第一备用电源,该第一二极管的阴极与第二二极管的阴极连接,该第二二极管的阳极通过第一电阻与该电池的正极连接,该电池的负极接地,该第二二极管的阴极通过第二电阻连接至该第一场效应管的漏极及该第二场效应管的栅极,该第一场效应管的栅极通过第三电阻连接一第二备用电源,该第一、第二场效应管的源极接地,该第二二极管的阴极还依次通过第四电阻、开关单元及第五电阻连接至第二场效应管的漏极,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMOS芯片信息清除电路,用于清除安装于主板上的CMOS芯片信息,该CMOS芯片信息清除电路包括一电池、第一至第五电阻、第一、第二场效应管、第一、第二二极管及开关单元,该第一二极管的阳极连接一第一备用电源,该第一二极管的阴极与第二二极管的阴极连接,该第二二极管的阳极通过第一电阻与该电池的正极连接,该电池的负极接地,该第二二极管的阴极通过第二电阻连接至该第一场效应管的漏极及该第二场效应管的栅极,该第一场效应管的栅极通过第三电阻连接一第二备用电源,该第一、第二场效应管的源极接地,该第二二极管的阴极还依次通过第四电阻、开关单元及第五电阻连接至第二场效应管的漏极,该第四电阻与开关单元之间的节点与C...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:涂一新熊金良周海清
申请(专利权)人:鸿富锦精密工业深圳有限公司鸿海精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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