分阶段的与非上电复位制造技术

公开了一种用于分阶段进行功率密集操作的方法和系统。非易失性存储设备控制器检测电源复位。该控制器与非易失性存储设备中的存储器通信。该控制器响应于检测到电源复位，确定复位非易失性存储设备中的非易失性存储器需要的电流消耗。当确定的电流消耗小于电流消耗阈值时，该控制器同时复位所有的非易失性存储器。如果确定的电流消耗大于电流消耗阈值，则该控制器复位多个非易失性存储器的第一子集，并且在预定的延迟之后，复位非易失性存储器的第二子集。因此，通过将操作分成一系列不超出阈值的步骤可以进行功率密集操作而不超出电流消耗阈值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请总体上涉及非易失性闪存系统的操作，并且更具体地，涉及用于分阶段进行功率密集的操作的方法和系统。
技术介绍
小形状尺寸存储卡持续增长的容量允许存储和分配数字内容的新的可能性。可以通过各种主机设备来存取存储在商业上可用的卡(诸如多媒体卡(MMC)和安全数码(SD)卡)上存储的内容。为小形状尺寸存储卡定义标准的组织可定义存储卡可消耗的最大瞬时功率或平均功率的限制。这些限制是必要的，从而使得主机设备(诸如蜂窝电话)的制造商可预算存储卡存取操作所需的瞬时功率或平均功率，并且对于保持与将来和既有的主机设备的可互用性是必要的。 随着小形状尺寸存储卡的存储容量和复杂性的增加，这些设备潜在消耗的瞬时功率或平均功率也可能增加，特别是在诸如复位、编程、写入或擦除操作的功率密集操作期间。例如，小形状尺寸存储卡通常包含多个NAND非易失性存储器晶片(die)。诸如上电复位(POR)的操作通常涉及，诸如通过向与芯片使能信号关联的所有NAND晶片传送复位命令而并行或大致同时地复位多个NAND晶片。大约同时地初始化若干晶片可导致显著数量的组合的涌入(inrush)电流，该涌入电流可超出瞬时功率消耗限制，或超出在限定时间段上的最大允许电力消耗。在复位大量非易失性存储器的同时实现功率遵从(power compliance)的一种设计方法包括上电读无效(PRDIS)存储器输入控制，其在当电源施加到存储卡时，禁止每个存储器晶片发起其自己的上电复位。这避免了与复位存储卡上的其它电路同时复位所有存储器晶片。然而，在控制器完成初始化之后，大量的存储器晶片仍由存储卡控制器并行复位。因此，在只是用于并行复位非易失性存储的电流需求已经超出由适用于特定小形状尺寸存储卡的标准建立的最大限制时，PRDIS控制并非可行的解决方案。另一种用于避免在小形状尺寸存储卡上电期间的大涌入电流的解决方案包括错开与共用芯片使能(CE)线关联的每个晶片开始初始化时的时间。然而，这个延迟通常是不能编程的固定时间。对可以使用这种方法实施的延迟的持续时间有限制，并且对可以使用这种方法实现的晶片初始化的排序有限制。因此，使用硬连线(hard-wired)或固定延迟的系统限制可以使用的可能配置，并且对于每个实施要求定制电路。
技术实现思路
因此，一种允许在具有更大存储密度的小形状尺寸存储卡上进行功率密集操作的方法和系统会是有利的。这样的方法或系统会允许小形状尺寸存储卡具有增加的存储能力同时仍旧保持与标准组织建立的电力消耗限制一致。为了解决这些问题，公开了一种识别会超出电力消耗限制的功率密集操作的方法和系统。该方法和系统将该操作分成要错开或顺序进行的步骤或步骤组，从而避免并行执行功率密集操作的步骤可能造成的超出电力消耗限制。具体地，该方法和系统可以确定并行操作是否超出电力消耗限制，并且如果超出，确定如何将并行操作分成顺序的操作或操作组，其中每个顺序操作不会超出电力消耗限制。功率密集操作的例子可以是上电复位序列。一方面，一种方法和系统可包括同时顺序地复位设备中的NAND晶片的子集，而不是同时复位所有的NAND晶片(或者与芯片使能相关联的所有NAND晶片)。因此，实现该方法和系统的小形状尺寸存储卡可以合并附加的NAND晶片从而提高存储容量，同时避免与上电复位或其它类似的功率密集操作相关联的电力消耗限制。根据一方面，非易失性存储设备中的控制器复位非易失性存储设备。该控制器与非易失性存储设备中的非易失性存储器通信。响应于检测到电源复位，确定复位非易失性存储设备中的非易失性存储器所需的电流消耗。如果确定的电流消耗小于电流消耗阈值 时，则同时复位非易失性存储器。如果确定的电流消耗大于电流消耗阈值，则复位非易失性存储器的第一子集；并且在预定的延迟之后，复位所述多个非易失性存储器的第二子集。将非易失性存储器分成按所需那么多的子集，从而使得每个子集可顺序地复位而不超出电流消耗阈值。确定复位非易失性存储设备中的非易失性存储器所需的电流消耗可包括确定非易失性存储器的数量是否超出预定的数目，确定非易失性存储器的类型，或确定所述多个非易失性存储器的制造商。根据另一方面，非易失性存储设备包括非易失性存储器和与非易失性存储器通信的控制器。该控制器可以响应于检测到电源复位确定复位非易失性存储设备中的非易失性存储器所需的电流消耗。当确定的电流消耗小于电流消耗阈值时，该控制器同时复位非易失性存储器。当确定的电流消耗大于电流消耗阈值时，该控制器复位多个非易失性存储器的第一子集，并且在预定的延迟之后复位多个非易失性存储器的第二子集。该控制器可以将非易失性存储器分成如所需那么多的子集，从而使得复位非易失性存储器的任何子集都不会超出电流消耗阈值。如之前的方面，确定复位非易失性存储设备中的非易失性存储器所需的电流消耗可包括确定非易失性存储器的数量是否超出预定的数目，确定非易失性存储器的类型，或确定多个非易失性存储器的制造商。根据另一方面，有一种用于复位系统的方法。与系统中的一组系统元件通信的控制器确定复位该组系统元件所需的电流消耗。该确定是响应于检测到电源复位而进行的。当确定的电流消耗小于电流消耗阈值时，同时复位所有的该组系统元件。当确定的电流消耗大于电流消耗阈值时，识别并复位可以同时复位而不超出所述电流消耗阈值的系统元件的第一子集。然后识别并复位可以同时复位而不超出所述电流消耗阈值的系统元件的第二子集。重复这个过程直到该组中的所有系统元件都被复位。确定复位所述系统中的所述组的系统元件所需的电流消耗包括确定系统元件的数量是否超过预定的数目，确定每个系统元件的类型，或者确定每个系统元件的制造商。本专利技术的其它方面和特性和优点是可能的，并且通过研究一下详细的描述和附图会对于本领域的技术人员变得更加明显。这里，以下权利要求所叙述的本专利技术的要求保护的范围并不旨在受限于这里示出和描述的实施例。附图说明图中的元件不一定是按比例的，而是在上面进行强调以示出其各种方面。此外，在图中，类似的标记表示不同视图中的对应部件。图I是示出用于在非易失性存储设备中进行分阶段操作的示例性系统的图。图2示出用于在图I的非易失性存储设备中进行分阶段操作的示例性步骤。图3是示出当在图I的非易失性存储设备结构中进行非分阶段的复位操作时的示例性电流消耗的图。图4是示出当在图I的非易失性存储设备结构中进行分阶段的复位操作时的示例性电流消耗的图。 图5是示出用于进行分阶段的功率密集操作的示例性系统的图。具体实施例方式将在之前的图和伴随的描述中讨论的示例性实施例更详细地解释一种用于进行分阶段的操作(诸如上电复位(power-on reset))从而遵从电力消耗限制的方法和系统。诸如小形状尺寸存储卡的非易失性存储设备通常包括许多非易失性存储器，诸如NAND闪速设备或晶片。当这样的非易失性存储设备连接到主机设备，或当包括非易失性存储设备的主机设备接通时，可将电力施加到非易失性存储设备上。在上电期间，非易失性存储设备通常进行包括从ROM熔线(fuse)读取的上电复位(POR)和初始化，从而使每个非易失性存储器准备用于诸如读取、写入和擦除的操作。这些初始化操作消耗电力。一些非易失性存储设备包含多个非易失性存储器或晶片。对于多个存储器晶片和/或元件，每个晶片或元件可以在同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.29 US 12/770,3581.一种用于复位非易失性存储设备的方法，该方法包括 由非易失性存储设备中的控制器进行下述操作，该控制器与所述非易失性存储设备中的多个非易失性存储器通信 响应于检测到电源复位，确定复位所述非易失性存储设备中的所述多个非易失性存储器所需的电流消耗； 当确定的电流消耗小于电流消耗阈值时，同时复位所有所述多个非易失性存储器；并且 当确定的电流消耗大于电流消耗阈值时 复位所述多个非易失性存储器的第一子集；并且 在预定的延迟之后，复位所述多个非易失性存储器的第二子集。2.根据权利要求I所述的方法，其中当确定的电流消耗指示同时复位所述多个非易失性存储器的至少一半会超出电流消耗阈值时，在已经复位所述多个非易失性存储器的所述第二子集之后的第二预定延迟之后，复位所述多个非易失性存储器的第三子集。3.根据权利要求I所述的方法，其中确定复位所述非易失性存储设备中的所述多个非易失性存储器所需的电流消耗包括确定所述多个非易失性存储器的数量是否超过预定的数目。4.根据权利要求I所述的方法，其中确定复位所述非易失性存储设备中的所述多个非易失性存储器所需的电流消耗包括确定所述多个非易失性存储器的类型。5.根据权利要求I所述的方法，其中确定复位所述非易失性存储设备中的所述多个非易失性存储器所需的电流消耗包括确定所述多个非易失性存储器的制造商。6.根据权利要求I所述的方法，其中所述多个非易失性存储器的每个可由复位命令复位，并且其中复位所述多个非易失性存储器的第一子集包括向所述多个非易失性存储器的所述第一子集传送复位命令。7.一种非易失性存储设备，包括 多个非易失性存储器； 与所述多个非易失性存储器通信的控制器，所述控制器可操作来 响应于检测到电源复位，确定复位所述非易失性存储设备中的所述多个非易失性存储器所需的电流消耗； 当确定的电流消耗小于电流消耗阈值时，同时复位所有所述多个非易失性存储器；并且 当确定的电流消耗大于电流消耗阈值时 复位所述多个非易失性存储器的第一子集；并且 在预定的延迟之后，复位...

【专利技术属性】
技术研发人员：SS程，D伊，J黄，AKT马克，F穆加特，
申请(专利权)人：桑迪士克科技股份有限公司，
类型：
国别省市：