【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对稳定的虚拟频率管理多个操作点专利技术背景专利
本专利技术涉及计算系统,且更具体地涉及处理器的分立操作点的有效管理。相关技术的描述现代集成电路(IC)的功率消耗变成对半导体芯片的每次生成的日益增大的设计问题。当功率消耗增加时,更昂贵的冷却系统例如较大的风扇和散热器用于移除额外的热并防止IC故障。然而,冷却系统增加了系统成本。IC功率损耗限制不仅对便携式计算机和移动通信设备而且对高性能超标量微处理器也是问题,该微处理器可包括多个处理器核心或核心以及在核心内的多个管线。IC例如现代互补型金属氧化物半导体(CMOS)芯片的功率消耗至少与表达式 2成比例。符号f是芯片的操作频率。符号V是芯片的操作电压。在现代微处理器中,参数·f和V都可在IC的操作期间变化。例如,在操作期间,现代处理器允许用户在最大性能状态和最小功率状态之间选择一个或多个中间功率性能状态。最大性能状态包括最大操作频率,而最小功率状态包括最小操作频率。中间分立的功率-性能状态(P-状态)包括对操作频率和操作电压的组合的给定折合值。软件例如操作系统或固件或硬件可至少基于改变状态的投影时间、选定的功率限制、工作负荷特征和对应于当前工作负荷的来自片上功率监测器的输入来选择特定的P-状态。然而,操作频率和操作电压的所计算的组合一般不匹配对应于分立的给定P-状态的组合。因此,紧密匹配的给定P-状态被选择。一般,这个选定的P-状态可对应于比所计算的功率限制低的功率消耗。因此,选定的P-状态的性能比所计算的功率限制低。如果几个更分立P-状态被添加到处理器以提供操作频率和电压的更精细的粒度组合,则处理器的设计 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.21 US 12/819,7771.一种计算系统,其包括 一个或多个功能块,每个功能块都被配置成产生对应于相应块的活动水平的数据;以及 功率管理器,其中所述功率管理器被配置成 至少部分地基于所述数据为所述一个或多个功能块中的一个功能块确定在给定时间间隔期间的平均功率消耗; 响应于确定所述平均功率消耗超过期望功率消耗来选择比当前P-状态低的功率-性能状态(P-状态); 响应于确定所述平均功率消耗值小于期望功率消耗来选择比当前P-状态高的P-状态。2.如权利要求I所述的计算系统,其中所述期望功率消耗对应于虚拟P-状态,所述虚拟P-状态低于较高的P-状态并高于较低的P-状态,且其中所述功率管理器被配置成可选地选择所述较高的P-状态和/或较低的P-状态,以便随着时间的流逝产生比所述较高的P-状态或所述较低的P-状态更紧密地对应于所述期望功率消耗的平均功率消耗。3.如权利要求I所述的计算系统,其中所述功率管理器被配置成 进一步响应于确定所述平均功率消耗超过所述期望功率消耗至少第一 δ量来选择所述较低的P-状态,所述第一 δ量具有大于零的绝对值;以及 进一步响应于确定所述平均功率消耗小于所述期望功率消耗至少第二 δ量来选择所述较高的P-状态,所述第二 δ量具有大于零的绝对值。4.如权利要求3所述的计算系统,其中所述期望功率消耗对应于所述一个或多个功能块的热设计功率值。5.如权利要求2所述的计算系统,其中所述功率管理器还被配置成基于达到对应阈值的速率选择远离所述当前P-状态的P-状态的两个或多个状态。6.如权利要求I所述的计算系统,其中在选择新的P-状态之前,所述功率管理器还被配置成确定所述一个或多个功能块已在当前P-状态中操作了给定的时间量。7.如权利要求I所述的计算系统,其中所述功率管理器还被配置成 确定随着时间的流逝在所述期望功率消耗和多个功能块功率消耗值之间的带正负号的累积差异; 进一步响应于确定所述带正负号的累积差异大于第一 δ值来选择所述较低的P-状态,所述第一 δ值具有大于零的绝对值;以及 进一步响应于确定所述带正负号的累积差异小于第二 δ值来选择所述较高的P-状态,所述第二 S值的绝对值大于零。8.如权利要求7所述的计算系统,其中所述时间间隔包括N个功能块采样间隔的最大计数,且其中所述功率管理器还被配置成响应于探测到所述带正负号的累积差异已改变了符号或所述计数达到N-无论哪个首先出现-来重置所述计数。9.一种用于管理多个分立操作点以产生稳定的虚拟操作点的方法,所述方法包括 产生对应于一个或多个功能块的活动水平的数据; 至少部分地基于所述数据为所述一个或多个功能块中的一个功能块确定在给定时间间隔期间的平均功率消耗;响应于确定所述平均功率消耗超过期望功率消耗来选择比当前P-状态低的功率-性能状态(P-状态);以及 响应于确定所述平均功率消耗值小于期望功率消耗值至少第二 S值来选择比当前P-状态高的P-状态。10.如权利要求9所述的方法,其中所述期望功率消耗值对应于虚拟P-状态,所述虚拟P-状态低于所述较高的P-状态并...
【专利技术属性】
技术研发人员:塞缪尔·D·纳夫齐格,约翰·P·佩特里,威廉·A·休斯,
申请(专利权)人:超威半导体公司,
类型:
国别省市:
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