控制存储器的方法、装置、控制器和系统制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种控制存储器的方法、装置、控制器和系统。该方法包括：接收访问该存储器的请求；将访问该存储器的请求存储到FIFO中；根据该FIFO的水线，控制该存储器进入或退出省电模式。本发明专利技术实施例的控制存储器的方法、装置、控制器和系统，可以在不影响访问存储器功能的同时，使存储器停留在省电模式下的时间最长，从而能够降低存储器的功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信领域，并且更具体地，涉及控制存储器的方法、装置、控制器和系统。
技术介绍
随着互联网的发展，需要实现的带宽也急剧增长，高吞吐量已成为通信设备亟需实现的一个性能。而随着带宽的增长，通信设备中的缓存数量和工作频率同步增长，设备的功耗也随着上升。设备子系统中外挂的缓存，如静态随机存储器(Static Random AccessMemory,简称为“SRAM”)或动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,简称为“DRAM”)基本都具有省电模式(power down)。但是这些缓存在省电模式下，无法对其进行 访问，需先退出省电模式后，读写缓存才能有效。在小流量的访问这些缓存，同时又需要省电时，就会出现频繁的切换进入或退出省电模式，频繁的切换也带来了一定的功耗。且像DRAM这类缓存，受其固有特性限制，进入、退出省电模式都有一定的时间开销，如进入省电模式后，需停留在省电模式下一定时间后才能退出省电模式，退出省电模式后需等待一定的时间后才能响应对DRAM的读写。如此在小流量访问这些缓存时，通过判断此时是否需要访问这些缓存而决定进入或退出省电模式，并不能将缓存的功耗降到最低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种控制存储器的方法、装置、控制器和系统，能够降低存储器的功耗。第一方面，提供了一种控制存储器的方法，包括接收访问该存储器的请求；将访问该存储器的请求存储到先进先出缓存(First In First Out，简称为“FIFO”)中；根据该FIFO的水线，控制该存储器进入或退出省电模式。在第一种可能的实现方式中，根据该FIFO的水线，控制该存储器进入或退出省电模式，包括根据该FIFO的水线和时间阈值，控制该存储器进入或退出省电模式。在第二种可能的实现方式中，结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式，根据该FIFO的水线，控制该存储器进入或退出省电模式，包括在该存储器处于非省电模式时，若该水线小于第一门限则开启第一计时器，在该第一计时器超时时若该水线小于该第一门限，则控制该存储器进入省电模式。在第三种可能的实现方式中，结合第一方面或第一方面的第一种或第二种可能的实现方式，根据该FIFO的水线，控制该存储器进入或退出省电模式，包括在该存储器处于省电模式时，若该水线不为零则开启第二计时器，在该第二计时器超时之前若该水线高于第二门限则控制该存储器退出省电模式，若该水线不高于该第二门限则在该第二计时器超时时控制该存储器退出省电模式，其中，该第二门限大于该第一门限。在第四种可能的实现方式中，结合第一方面或第一方面的第一种或第二种或第三种可能的实现方式，该方法还包括在该存储器处于省电模式时，若访问该存储器的请求为紧急请求，则控制该存储器退出省电模式。第二方面，提供了一种控制存储器的装置，包括接收模块，用于接收访问该存储器的请求；缓存模块，用于将访问该存储器的请求存储到先进先出缓存FIFO中；第一控制模块，用于根据该FIFO的水线，控制该存储器进入或退出省电模式。在第一种可能的实现方式中，该第一控制模块具体用于根据该FIFO的水线和时间阈值，控制该存储器进入或退出省电模式。在第二种可能的实现方式中，结合第二方面或第二方面的第一种可能的实现方式，该第一控制模块具体用于在该存储器处于非省电模式时，若该水线小于第一门限则开 启第一计时器，在该第一计时器超时时若该水线小于该第一门限，则控制该存储器进入省电模式。在第三种可能的实现方式中，结合第二方面或第二方面的第一种或第二种可能的实现方式，该第一控制模块具体用于在该存储器处于省电模式时，若该水线不为零则开启第二计时器，在该第二计时器超时之前若该水线高于第二门限则控制该存储器退出省电模式，若该水线不高于该第二门限则在该第二计时器超时时控制该存储器退出省电模式，其中，该第二门限大于该第一门限。在第四种可能的实现方式中，结合第二方面或第二方面的第一种或第二种或第三种可能的实现方式，该装置还包括第二控制模块，用于在该存储器处于省电模式时，若访问该存储器的请求为紧急请求，则控制该存储器退出省电模式。第三方面，提供了一种控制器，包括先进先出缓存FIFO和上述第二方面的控制存储器的装置。第四方面，提供了一种系统，包括存储器和上述第三方面的控制器。基于上述技术方案，本专利技术实施例的控制存储器的方法、装置、控制器和系统，通过将访问存储器的请求存储到FIFO中，根据该FIFO的水线，控制存储器进入或退出省电模式，可以在不影响访问存储器功能的同时，使存储器停留在省电模式下的时间最长，从而能够降低存储器的功耗。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I是根据本专利技术实施例的控制存储器的方法的示意性流程图。图2是根据本专利技术实施例的控制存储器的方法的另一示意性流程图。图3是根据本专利技术实施例的控制存储器的方法的又一示意性流程图。图4是根据本专利技术实施例的控制存储器的装置的示意性框图。图5是根据本专利技术实施例的控制器的示意性框图。图6是根据本专利技术实施例的系统的示意性框图。图7是根据本专利技术实施例的系统的结构示意图具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本专利技术保护的范围。图I示出了根据本专利技术实施例的控制存储器的方法100的示意性流程图。如图I所示，该方法100包括S110,接收访问该存储器的请求；S120，将访问该存储器的请求存储到先进先出缓存FIFO中； S130，根据该FIFO的水线，控制该存储器进入或退出省电模式。在本专利技术实施例中，执行方法100的主体可以是控制存储器的装置，也可以是包括控制存储器的装置的控制器或者系统。为了简洁，下文中以控制存储器的装置为例进行描述。在本专利技术实施例中，为了降低功耗，控制存储器的装置在接收到访问存储器的请求时，将访问存储器的请求存储到FIFO中，再根据FIFO的水线，也就是FIFO中存储的请求的数量，控制存储器进入或退出省电模式。这样，在小流量访问存储器时，不需要在每次访问存储器时都退出省电模式，从而减少了存储器频繁切换进入退出省电模式，能使存储器停留在省电模式下的时间最长。因此，本专利技术实施例的控制存储器的方法，通过将访问存储器的请求存储到FIFO中，根据该FIFO的水线，控制存储器进入或退出省电模式，可以在不影响访问存储器功能的同时，使存储器停留在省电模式下的时间最长，从而能够降低存储器的功耗。本专利技术实施例的技术方案可以应用于各种支持省电模式的存储器，比如DRAM,例如，双倍数据率2 (Double Data Rate 2)同步动态随机存储器(Synchronous DynamicRandom Access Memory) (DDR2SDRAM，简称为 “DDR2”)、DDR3 SDRAM (简称为 “DDR3”)。在本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制存储器的方法，其特征在于，包括：接收访问所述存储器的请求；将访问所述存储器的请求存储到先进先出缓存FIFO中；根据所述FIFO的水线，控制所述存储器进入或退出省电模式。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘荣斌，张晋，李明伟，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：