适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板制造技术

本实用新型专利技术是一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其结构由完成高基频InvertMesa晶片初镀第一次镀膜过程的A版掩膜板和完成高基频InvertMesa晶片初镀第二次镀膜过程的B版掩膜板组成。优点：A、B两版掩膜板的设计弥补了高基频InvertMesa晶片初镀过程晶片两面“孤岛”中心不同心等高的不足。在性能上使得晶体具有更好的频率稳定性，更低的相位噪声，更短的开关时间和更宽的拉升范围等优点；同时可以提高高基频InvertMesa晶片初镀过程晶片两面“孤岛”中心一致性的合格率，降低了生产过程中的损耗；此外A、B两版掩膜板的使用不需要安放辅助掩膜物体，生产方便，初镀效率得到提升。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是由完成高基频InvertMesa晶片初镀第一次镀膜过程的A版掩膜板和完成高基频InvertMesa晶片初镀第二次镀膜过程的B版掩膜板组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李坡，李冬强，高志祥，袁波，谢科伟，
申请(专利权)人：南京中电熊猫晶体科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：