【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体涉及半导体处理和处理腔室,尤其涉及用于控制快速交变处理(RAP)和RAP腔室的系统、方法和装置。
技术介绍
快速交变处理(RAP)通常包括将工件放置到腔室中,然后向工件施加交变、重复循环的两种或多种处理(例如,相位)。通常,每种处理/相位将具有用于气体压强、气体混合物浓度、气体流率、偏压、频率、腔室温度、工件温度、处理信号(例如,RF、微波等)的多个各自的设定点以及许多其它处理设定点。因此,在第一个相位达到各个处理设定点之前,第一个相位不能有效地开始。此外,当从第一个相位切换到第二个后序相位时,在第二个相位能够最有效开始之前,第二个相位必须达到各个处理设定点。处理相变时间间隔是结束第一个相位和开始第二个相位之间的时延。在处理相变期间,时间处理参数变化,并且每个参数需要不同的时间来达到针对具体处理相位的设定点。因此,该处理相变时间间隔减少操作时间并且因此减少RAP腔室的有效吞吐量。通常,处理相变时间间隔主要由用于气体混合物浓度和气体压强的设定点确定。气体混合物浓度和气体压强通常由控制向RAP腔室输送各种气体的质量流控制器(MFC)确定。通常,设定点是 ...
【技术保护点】
一种快速交变处理方法,包括:开始第一快速交变处理相位,其包括:将第一处理气体输入到快速交变处理腔室中;检测所述快速交变处理腔室中的所述第一处理气体;以及在所述快速交变处理腔室中检测到所述第一处理气体之后,向所述快速交变处理腔室施加相应的第一相位偏压信号。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:米尔扎佛·阿巴查,布拉德勒·奥瓦尔,阿尔缅·基拉科相,
申请(专利权)人:朗姆研究公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。