【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于冶金法制备太阳能级硅的
，尤其涉及一种湿法冶金法去除工业硅杂质制备超冶金级硅的方法。
技术介绍
随着光伏产业以及高纯硅产业的发展，对纯度较高的超冶金级硅的需求越来越大。以工业硅为原料，通过湿法冶金的方法，去除其中的杂质是一种可行的制备超冶金级硅的工艺。通过湿法冶金法制备超冶金级硅通常是采用各种无机酸，无机盐及其多组分的组合物为浸出剂，浸出剂与工业硅颗粒表面晶界处的杂质相发生反应，杂质进入液相，工业硅得到提纯，产出杂质含量更低的超冶金级硅。在湿法提纯工业硅制备超冶金级硅的过程中，硅颗粒表面受到腐蚀而露出新的表明来，新露出的表面容易与氢结合，生成硅氢键，特别是当浸出剂中含有氟化物时，硅氢键的形成十分容易和普遍。硅氢键具有疏水性，因此，在湿法冶金法提纯工业硅的过程中，极易产生不溶于水相的泡沫。泡沫不但使浸出反应过程中 矿浆体积膨胀，产生冒槽而影响到操作，而且使硅颗粒无法与浸出剂接触，导致除杂效果下降。在工业硅制备超冶金级硅中研究消泡方法的较少，在其它无机硅使用领域较多，比如印刷电路板消泡，吴飞等人的专利CN1806883A采用以脂肪醇、脂肪酸、脂肪...
【技术保护点】
一种工业硅制备超冶金级硅的消泡方法，以工业硅为制备超冶金级硅的原料，将工业硅经过破碎后球磨至50～600目，然后采用无机酸或无机酸的组合酸作为浸出剂进行浸出，以去除工业硅中的杂质，待浸出完毕后过滤得到滤饼，滤饼经过纯水或者自来水洗涤后烘干，烘干后即可得到杂质含量较低的超冶金级硅；其特征在于：所述浸出时，加入浸出剂体积的10～500%的消泡剂。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马文会，谢克强，周继红，麦毅，魏奎先，张龙，伍继君，周阳，戴永年，
申请(专利权)人：昆明理工大学，云南宏盛锦盟企业集团有限公司，
类型：发明
国别省市：
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