纳米级球形硅粉的生产方法技术

本发明专利技术提供一种纳米级球形硅粉的生产方法，它在依次连通的高温蒸发器、粒子控制器及收集器组成的反应系统中进行，包括以下操作步骤：将纯度≥99.9%的硅块加入到高温蒸发器中，对反应系统抽真空，充入氩气，使反应系统内部压力为75～150kPa；开启等离子枪，将硅块加热形成硅蒸气；调节氩气气流量至15～120m3/h，使硅蒸气输送到粒子控制器，然后固化成硅粉颗粒；氩气气流将硅粉颗粒输送到收集器，使硅粉颗粒在收集器内附着，然后集中，得到纯度≥99.9%、粒径为10～3000nm、形状为球形的纳米级球形硅粉。用该方法生产的纳米级球形硅粉纯度高、粒度分布均匀、粒径大小可控制在10～3000nm之间任何区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及材料制备
，具体涉及一种。
技术介绍
现有技术中，由于设备不适合或工艺参数没调整好等原因，往往使生产出的硅粉存在纯度低、粒度分布不均匀、粒径大小不可控等缺点，从而影响采用该纳米级球形硅粉制成的硅材料制品的性能。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，用该生产方法生产的纳米级球形硅粉纯度高、粒度分布均匀、粒径大小可控制在10 3000nm之间任何 区域。本专利技术所采用的技术方案为 一种，该生产方法在依次连通的高温蒸发器、粒子控制器及收集器组成的反应系统中进行，该生产方法包括以下操作步骤 (I)将纯度> 99. 9%的硅块原料通过加料口加入到高温蒸发器内的坩埚中，对反应系统进行抽真空，然后开启设置于高温蒸发器底部的氩气阀，对反应系统充入氩气，使反应系统内的气氛为惰性并且反应系统内部压力为75 150kPa。(2)开启设置于高温蒸发器顶部的等离子枪，以产生的高频等离子气作为加热源对硅块原料进行加热，将硅块原料加热到沸腾状态形成硅蒸气。(3)调节高温蒸发器底部的氩气的气流量至15 120m3/h，使蒸发出的硅蒸气随氩气气流输送到与高温蒸发器连通的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米级球形硅粉的生产方法，其特征在于：在依次连通的高温蒸发器、粒子控制器及收集器组成的反应系统中进行，包括以下操作步骤：（1）将纯度≥99.9%的硅块原料通过加料口加入到高温蒸发器内的坩埚中，对反应系统进行抽真空，然后开启设置于高温蒸发器底部的氩气阀，对反应系统充入氩气，使反应系统内的气氛为惰性并且反应系统内部压力为75～150kPa；?（2）开启设置于高温蒸发器顶部的等离子枪，以产生的高频等离子气作为加热源对硅块原料进行加热，将硅块原料加热到沸腾状态形成硅蒸气；（3）调节高温蒸发器底部的氩气的气流量至15～120m3/h，使蒸发出的硅蒸气随氩气气流输送到与高温蒸发器连通的粒子控制器，在粒...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵登永，陈钢强，王光杰，陆永波，潘经珊，
申请(专利权)人：宁波广博纳米新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：