掩膜版及光刻材料的曝光检测方法技术

本发明专利技术属于液晶显示技术领域，具体涉及一种掩膜版及光刻材料的曝光检测方法。光刻材料的曝光检测方法包括：步骤S1：利用掩膜版对光刻材料膜层进行曝光，形成与所述掩膜版上的曝光检测区对应的曝光检测单元，所述曝光检测单元上形成与所述曝光检测区中的不完全透光区对应的不完全曝光区，以及形成与所述曝光检测区中的位置标识对应的分界线标识，所述不完全曝光区包括材料完全去除区和材料残留区，所述材料完全去除区和材料残留区的交接处形成分界线；步骤S2：确定所述不完全曝光区内分界线的位置，根据所述分界线的位置与所述分界线标识的位置关系，获得所述光刻材料膜层的实际曝光信息。该检测方法简单易行，测量结果准确，且可靠度高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于液晶显示
，具体涉及一种。
技术介绍
目前，平板显示器包括液晶显示器(Liquid Crystal Display :LCD)、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode:0LED)显示器等。在成像过程中，液晶面板中的像素点由集成在阵列(Array)基板上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor :简称TFT)配合外围驱动电路来驱动以实现图像显示；有源矩阵(ActiveMatrix)驱动式OLED面板中的像素点也是由TFT配合外围驱动电路来驱动以实现图像显示。在上述平板显示器中，TFT是 控制发光的开关，它是一种半导体器件，是平板显示器中实现高性能显示的关键部件。在半导体器件的生产过程中，曝光工艺是其中重要的制作工艺之一，该工艺通过光化学反应精确地将半导体掩膜版上的图案转写到光刻材料(也叫光阻材料，英文名称为Photoresist，简称PR)上。在TFT (或TFT阵列)的制作中，采用在衬底(即基板)上涂覆或溅射相应的工艺材料膜层(比如氧化铟锡等)，然后在工艺材料膜层上涂覆光刻材料，通过对光刻材料进行曝光、显影等工艺，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜版，包括曝光检测区，其特征在于，所述曝光检测区包括不完全透光区，所述不完全透光区具有第一位置和第二位置，在所述第一位置和所述第二位置之间具有参考位置；其中：从第一位置到第二位置，不完全透光区的透光量逐渐减小；所述参考位置处的透光量等于待曝光的光刻材料膜层被完全曝光所需的最少透光量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙亮，郭总杰，刘正，赵海廷，张治超，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：