静电夹持装置、光刻设备和制造静电夹持装置的方法制造方法及图纸

技术编号:8300453 阅读:177 留言:0更新日期:2013-02-07 03:25
本发明专利技术公开了静电夹持装置、光刻设备以及制造静电夹持装置的方法。所述静电夹持装置被配置用于将物体静电夹持至光刻设备中的物体支撑结构。所述夹持装置包括:第一材料层;设置在第一层之上的电极;沉积在电极的各部分之间的绝缘、电介质或半电介质材料;以及设置在电极之上的第二层。此外,还描述了一种制造静电夹持装置的方法。

【技术实现步骤摘要】
静电夹持装置、光刻设备和制造静电夹持装置的方法
本专利技术涉及用于保持物体的静电夹持装置、包括这种夹持装置的光刻设备以及与该夹持装置相关的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上,通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如IC制造过程中。在这种情况下,可以将图案形成装置(例如掩模(掩模板))用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常,通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常,单一衬底将包括相邻目标部分的网络,所述相邻目标部分被连续地图案化。静电夹持装置是操作用于使用静电力夹持物体的夹持装置。这种夹持装置可以用在光刻设备中。例如,使用极紫外(EUV)辐射或电子束辐射的光刻设备可以在真空条件下在特定区域内操作。静电夹持装置可以用于将物体夹持在些区域中。静电夹持装置可以被设置用于将物体(例如掩模或衬底(晶片))分别静电夹持至物体支撑结构(例如掩模台或衬底台)。
技术实现思路
一种静电夹持装置可以包括叠层,在所述叠层中电极设置在上(第一)和下(第二)电介质、半电介质或绝缘层之间。例如,电极可以沉积在下层的上表面上。然后,上层布置在电极之上。上和下层例如通过阳极键合而结合在一起。电极可以包括彼此分离的多个部分。根据一方面,提供一种具有静电夹持装置的设备,所述静电夹持装置被配置用于将物体静电夹持至物体支撑结构,所述夹持装置包括:第一电介质或半电介质层;第二电介质或半电介质层;在第一和第二电介质或半电介质层之间的电极,用于形成叠层,所述电极包括第一部分和旁边的或处于其横向侧的第二部分;以及在第一部分和第二部分之间的中间材料,所述中间材料是与所述第一或第二电介质或半电介质层不同的电介质、半电介质或绝缘材料。根据还一方面,提供一种具有静电夹持装置的设备,所述静电夹持装置被配置用于将物体静电夹持至物体支撑结构,所述夹持装置包括:第一单一的电介质或半电介质层(或第一一体电介质或半电介质层);第二单一的电介质或半电介质层(或第二一体电介质或半电介质层);在第一和第二单一的电介质或半电介质层之间的电极;以及中间材料,所述中间材料与第一和第二单一的电介质或半电介质层分离并且在第一和第二单一的电介质或半电介质层之间延伸,以接触第一和第二单一的电介质或半电介质层。根据另一方面,提供一种静电夹持装置,所述静电夹持装置被配置用于将物体静电夹持至光刻设备中的物体支撑结构,所述夹持装置包括:第一材料层;设置在第一层之上的电极;沉积在电极的各部分之间的绝缘、电介质或半电介质材料;以及设置在电极之上的第二层。根据还一方面,提供一种制造静电夹持装置的方法,其中所述静电夹持装置被配置用于将物体静电夹持至物体支撑结构,所述方法包括:将电极设置在第一和第二电介质或半电介质层之间,所述电极具有第一部分和旁边的或处于其横向侧的(lateral)第二部分;以及将中间材料设置在第一和第二部分之间,所述中间材料是与所述第一或第二电介质或半电介质层不同的电介质、半电介质或绝缘材料。根据还一方面,提供一种静电夹持装置,所述静电夹持装置被配置用于将物体抵靠物体支撑结构静电夹持,所述静电夹持装置根据本文中所述的方法被制造。根据还一方面,提供一种光刻设备,包括:物体支撑结构,构造用于将物体支撑在辐射束的束路径中;以及如本文中所述的静电夹持装置。根据还一方面,提供一种设备,包括:物体支撑结构,构造用于支撑物体;以及如文中所述的静电夹持装置。附图说明现在参照随附的示意性附图,仅以举例的方式,描述本专利技术的实施例,其中,在附图中相应的附图标记表示相应的部件,且其中:图1示出根据本专利技术实施例的光刻设备;图2示出静电夹持装置的平面视图;图3示出图2中的静电夹持装置的沿X-X截取的横截面;图4示出根据本专利技术实施例的静电夹持装置的一部分的部分剖视图;图5(A)-(I)示出制造图4中所示的静电夹持装置的所述部分的方法的实施例的部分剖视图;以及图6(A)-(I)示出制造图4中所示的静电夹持装置的所述部分的方法的另一实施例的部分剖视图。具体实施方式图1示意地示出了根据本专利技术一个实施例的光刻设备。所述设备包括:照射系统(照射器)IL,其配置成调节辐射束B(例如UV辐射或EUV辐射);支撑结构或支撑件或图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT,其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA,并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连;衬底台(例如晶片台)WT,其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W,并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连;和投影系统(例如折射投影透镜系统)PS,其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学部件,例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合,以引导、成形、或控制辐射。所述支撑结构保持图案形成装置。所述支撑结构可以以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如例如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台,例如,其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。本文中任意使用的术语“掩模板”或“掩模”可以被认为与上位的术语“图案形成装置”同义。本文中所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应该指出的是,被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分中的所需图案精确对应,例如如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征。通常,被赋予辐射束的图案将与在目标部分中形成的器件中的特定的功能层相对应,例如集成电路。图案形成装置可以是透射式或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的,并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置,每一个小反射镜可以独立地倾斜,以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。本文中所使用的术语“投影系统”应当被广义地解释为包括任意类型的投影系统,包括折射型、反射型、反射及折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合,如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液体或使用真空之类的其他因素所适合的。本文中任意使用的术语“投影透镜”可以被认为与上位的术语“投影系统”同义。支撑结构和衬底台可以在下文中被称为物体支撑结构。物体包括但不限于图案形成装置(诸如掩模板)和衬底(诸如晶片)。如这里所示的,设备是反射型的(例如采用反射掩模)。可选地,设备可以是透射型的(例如采用透射掩模)。光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和本文档来自技高网...
静电夹持装置、光刻设备和制造静电夹持装置的方法

【技术保护点】
一种具有静电夹持装置的设备,所述静电夹持装置被配置用于将物体静电夹持至物体支撑结构,所述夹持装置包括:第一电介质或半电介质层;第二电介质或半电介质层;第一和第二电介质或半电介质层之间的电极,用于形成叠层,所述电极包括第一部分和旁边的第二部分;以及第一部分和第二部分之间的中间材料,所述中间材料是与所述第一或第二电介质或半电介质层不同的电介质、半电介质或绝缘材料。

【技术特征摘要】
2011.08.02 US 61/514,3201.一种具有静电夹持装置的设备,所述静电夹持装置被配置用于将物体静电夹持至物体支撑结构,所述夹持装置包括:第一电介质或半电介质层;第二电介质或半电介质层;第一和第二电介质或半电介质层之间的电极,用于形成叠层,所述电极包括第一部分和旁边的第二部分;以及第一部分和第二部分之间的中间材料,所述中间材料是与所述第一和第二电介质或半电介质层不同的电介质、半电介质或绝缘材料。2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一电介质或半电介质层包括玻璃材料、或陶瓷材料、或玻璃和陶瓷材料两者,或第二电介质或半电介质层包括玻璃材料、或陶瓷材料、或玻璃和陶瓷材料两者,或第一和第二电介质或半电介质层两者均包括玻璃材料、或陶瓷材料、或玻璃和陶瓷材料两者。3.根据权利要求1所述的设备,其中,所述中间材料包括二氧化硅。4.根据权利要求1所述的设备,还包括物体支撑结构,所述物体支撑结构被配置用于保持图案形成装置、或对辐射敏感的衬底、或图案形成装置和对辐射敏感的衬底两者。5.一种具有静电夹持装置的设备,所述静电夹持装置被配置用于将物体静电夹持至物体支撑结构,所述夹持装置包括:第一单一的电介质或半电介质层;第二单一的电介质或半电介质层;第一和第二单一的电介质或半电介质层之间的电极;以及中间材料,所述中间材料与第一和第二单一的电介质或半电介质层分开并且在第一和第二单一的电介质或半电介质层之间延伸,以接触第一和第二单一的电介质或半电介质层,其中,所述中间材料是与所述第一和第二单一的电介质或半电介质层的材料不同的物质。6.根据权利要求5所述的设备,其中,所述第一和第二单一的电介质或半电介质层具有大致平面的表面,该表面与电极和中间材料形成接合或交界。7.一种静电夹持装置,所述静电夹持装置被配置用于将物体静电夹...

【专利技术属性】
技术研发人员:P·R·黑尔穆斯R·A·威尔克洛
申请(专利权)人:ASML控股股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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