【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于修改支撑表面的工具
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于
2021
年3月
24
日递交的美国临时专利申请号
63/165,327
的优先权,所述美国临时专利申请的全部内容通过引用并入本文中
。
[0003]本公开涉及用于修改保持器的工具
、
使用该工具修改保持器的方法
、
以及包括该工具的光刻设备
。
技术介绍
[0004]光刻设备是一种将期望的图案施加至衬底
(
通常是在衬底的目标部分上
)
上的机器
。
例如,光刻设备可以用于集成电路
(IC)
的制造中
。
在这种情况下,可以将替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生要在
IC
的单独的层上形成的电路图案
。
可以将所述图案转印到衬底
(
例如,硅晶片
)
上的目标部分
(
例如,包括一部分管芯
、
一个或若干个管芯
)
上
。
典型地,通过成像到设置在衬底上的辐射敏感材料
(
抗蚀剂
)
层上进行图案的转印
。
通常,单个衬底将包含被连续图案化的相邻的目标部分的网格
。
常规的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器,在步进器中,通过将整个图案一次曝光到目 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种用于修改衬底保持器的衬底支撑元件的装置,所述装置包括:衬底保持器,所述衬底保持器具有从所述衬底保持器的第一侧突出的多个支撑元件;支撑结构,所述支撑结构被配置成从所述衬底保持器的第二侧以横切方式保持所述衬底保持器;清洁工具,所述清洁工具具有球形主体;以及处理器,所述处理器被配置成将所述衬底保持器的受关注的预定区与所述清洁工具的预定部位对准,操纵所述支撑结构的移动,使得所述对准在所述受关注的预定区与所述预定部位之间产生接触,以及启动对所述受关注的预定区的清洁操作
。2.
根据权利要求1所述的装置,其中,所述受关注的预定区包括一个或更多个支撑元件
。3.
根据权利要求1所述的装置,其中:所述受关注的预定区包括具有支撑表面的一个支撑元件;在所述受关注的预定区与所述预定部位之间产生的接触包括所述支撑表面与所述清洁工具的所述预定部位之间的接触;所述装置还包括检测器,所述检测器被配置成测量所述支撑表面的物理参数;所述物理参数包括所述支撑表面的粗糙度;并且所述物理参数包括所述衬底保持器的一个或更多个支撑元件的高度偏差测量结果,所述高度偏差测量结果是偏离所述衬底保持器的预定表面平整度的被检测到的高度偏差
。4.
根据权利要求3所述的装置,其中,所述处理器还被配置成控制所述清洁操作,以与所述支撑元件的所述被检测到的高度偏差相对应地修改所述支撑元件的高度
。5.
根据权利要求1所述的装置,其中,所述处理器还被配置成控制所述对准以使所述支撑结构降低和倾斜,以将所述受关注的预定区与所述预定部位对准
。6.
根据权利要求5所述的装置,其中,所述处理器还被配置成:基于所述清洁工具的凸度测量结果与所述支撑元件的用于进行高度或粗糙度修改的位置之间的所计算的相关性来控制所述对准的性能;以及基于所计算的相关性来选择所述预定部位
。7.
根据权利要求5所述的装置,其中,所述处理器还被配置成控制所述对准操作以使所述支撑结构绕水平轴线旋转
。8.
根据权利要求1所述的装置,其中,所述清洁工具由石英
(SiO2)
组成,并且其中,所述石英涂覆有氮化铬
(CrN)、
氧化铬
(CrOx)、
或硼化钽中的任一种
。9.
一种用于修改衬底保持器的衬底支撑元件的方法,所述方法由处理器执行,所述方法包括:将衬底保持器的受关注的预定区与清洁工具的预定部位对准,所述衬底保持器具有从所述衬底保持器的第一侧突...
【专利技术属性】
技术研发人员:M,
申请(专利权)人:ASML控股股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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