极低压条件下制备高纯氨的方法技术

极低压条件下制备高纯氨的方法，包括如下步骤：1）取高纯的氢氮原料气，氢氮原料纯度达到99.999%～99.9999999%；2）将高纯的氢氮原料气输送到合成氨塔中合成高纯氨；所述步骤2）中，压力条件为4～7MPa，温度条件为300～400℃；催化剂采用在200～400℃具有良好的活性的催化剂。本发明专利技术在极低压的条件下制备高纯氨，降低了传统（低纯）氨合成反应所需的压力和温度条件，克服了传统（低纯）氨合成技术上催化剂易中毒的问题，而且使用的压力容器制造简单，操作更加安全，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制备高纯氨的方法，尤其是涉及一种。
技术介绍
现代微电子和光电子等工业的发展对氮化物特别是氮化镓(GaN)和氮化硅(Si3N4)提出了更高的质量要求。这些氮化物是在高温下由高纯氨参与的化学反应而生成。为了合成高质量的氮化物中，必须要使用高纯度的氨气(高纯氨)，高纯氨的纯度至少在99. 999% (5N)，通常要达到99. 9999% (6N)甚至99. 99999% (7N),因为氨气的纯度对上述工业有着极为显著的影响，比如在氮化娃的制备中，如果氨气中含有50ppm的水或氧,就不会生成Si3N4而只会生成氧化硅SiO2 ;又如在MOCVD中，如果氨气中含有3ppm的水或氧，其制 备的外延片的发光波长将无法控制。其中氨合成的这一步涉及一个比较简单的化学反应体系，其反应方程式如下SH2 + N2.............................................. 2Mf3 , Δ H=-46. 22kJ/mol.该平衡体系仅涉及NH3、N2和H2三种物质。由于这是一个可逆反应，所以在工业生产中通常采用哈勃(Haber)循环工艺。除了催化剂，该反本文档来自技高网...

【技术保护点】
极低压条件下制备高纯氨的方法，包括如下步骤：1）取高纯的氢氮原料气，氢氮原料纯度达到99.999%～99.9999999%；2）将高纯的氢氮原料气输送到合成氨塔中合成高纯氨；所述氢氮混合气中的氢气和氮气的摩尔比为3:1；其特征在于：所述步骤2）中，压力条件为4～7MPa，温度条件为300～400℃；催化剂采用在200～400℃具有良好的活性的催化剂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍坚仁，鲍坚斌，
申请(专利权)人：湖南高安新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：