【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于新型半导体自旋电子学材料领域，具体涉及-种过渡金属 掺杂Sn02室温稀磁半导体纳米粉的制备方法。
技术介绍
稀磁半导体，是指在ni-v族、n-vi族等化合物半导体中，由磁性过渡族金属离子或稀土金属离子部分的代替非磁性金属离子，从而形成的 一种新型半导体。稀磁半导体同时利用了电子的电荷和自旋属性，具备优 异的磁、磁光和磁电性能，使得它在"自旋电子学"领域展现出广阔的应 用前景，成为未来自旋电子器件的关键材料，正受到全世界的极大关注。 从应用的角度看，制备具备室温铁磁性的稀磁半导体材料是非常重要的。目前，对传统的n-vi族以及ni-v族化合物半导体的稀磁半导体研究比较广泛，如(Zn，Mn)Se和(Ga，Mn)As等，但是这些材料的居里温度多低于 150K，限制了它们的实际应用。2000年，Dietl等在《Science》(2000年 第287期，P1019-1022)杂志上报道，他们从理论上首次预言在ZnO中通 过掺杂过渡金属磁性离子可以实现室温铁磁性；引起了人们对过渡金属掺 杂的氧化物稀磁半导体研究的热潮。自此，在ZnO、 TiO" Sn02、 Cu...
【技术保护点】
一种Ｍｎ掺杂ＳｎＯ↓［２］室温稀磁半导体纳米粉的制备方法，其特征在于包括以下步骤：Ａ．室温下，将分析纯的氯化亚锡，在超声波辅助下，溶于稀盐酸无水乙醇溶液中，然后加入乙酸锰，得到混合溶液，其中Ｍｎ↑［２＋］和Ｓｎ↑［２＋］离子摩尔比在１∶９９～７∶９３之间，同时加入无水乙醇调节Ｓｎ↑［２＋］的摩尔浓度在０．１～０．３ｍｏｌ／Ｌ之间；将碳酸氢氨加入到无水乙醇中，配置成０．５～２ｍｏｌ／Ｌ碳酸氢氨无水乙醇溶液，碳酸氢氨应过量１０％～３０％；Ｂ．在超声波分散和６０℃水浴条件下，将碳酸氢氨无水乙醇溶液加入到混合溶液中，同时不断搅拌，接着滴加氨水，调节ｐＨ＝９～１０，继续超声波分散３０...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：袁松柳，田召明，王永强，何惊华，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]
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