【技术实现步骤摘要】
本技术涉及二极管框架结构
，具体指一种平面压接式的二极管器件用引线框架。
技术介绍
—般二极管的封装引线结构有两种，一种为直插式结构，一种是表面贴装结构。此两种封装一般适用于焊接方式连接，而对于要求用压接方式连接的器件来说，直插式结构或表面贴装式结构会产生压接电阻从而产生热阻，长期使用会由于温升而损坏器件。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术所存在的不足而提供一 种平面压接式的二极管器件用引线框架。本技术所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现一种平面压接式的二极管器件用引线框架，包括上、下引线框架，在所述上引线框架上冲切有若干个上引线，每一上引线的末端具有一向上突出的上被封装部，所述上被封装部具有一向下突出的与芯片焊接的焊接凸台；在所述下引线框架上冲切有若干个下引线，每一下引线的末端具有一向上突出的下被封装部，下被封装部的上表面与所述芯片焊接。所述上、下引线与芯片焊接并被塑料封装后，其露出塑料封装体外的部分分别构成上、下压接部，所述上、下压接部的底面处于同一平面上。由于采用了如上的技术方案，本技术的平面压接式的二极管器件用引线框架中上...
【技术保护点】
一种平面压接式的二极管器件用引线框架，其特征在于，包括上、下引线框架，在所述上引线框架上冲切有若干个上引线，每一上引线的末端具有一向上突出的上被封装部，所述上被封装部具有一向下突出的与芯片焊接的焊接凸台；在所述下引线框架上冲切有若干个下引线，每一下引线的末端具有一向上突出的下被封装部，下被封装部的上表面与所述芯片焊接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈建中，丁嗣彬，潘文正，李伟亮，
申请(专利权)人：上海同福矽晶有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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