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本实用新型公开的一种平面压接式的二极管器件用引线框架，包括上、下引线框架，在所述上引线框架上冲切有若干个上引线，每一上引线的末端具有一向上突出的上被封装部，所述上被封装部具有一向下突出的与芯片焊接的焊接凸台；在所述下引线框架上冲切有若干个下...
该专利属于上海同福矽晶有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海同福矽晶有限公司授权不得商用。

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