低温度漂移的基准电压电路结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种低温度漂移的基准电压电路结构，属于电路结构技术领域。该低温度漂移的基准电压电路结构包括产生基准电压的基准电压核心支路、产生负温度补偿电流的温度补偿回路和提供偏置电流的偏置回路，该电路结构还包括基准电压输出回路，所述的温度补偿回路和偏置回路分别连接所述的基准电压核心支路，所述的基准电压输出回路连接所述的温度补偿回路，从而利用偏置回路及温度补偿回路可以有效地补偿并入后主电流的负温度变化趋势，并且可以调节补偿强弱，实现温度补偿功能，使基准电压恒定，并很少随环境温度和集成电路制造工艺波动，且本实用新型专利技术的低温度漂移的基准电压电路结构的结构简单，成本低廉，应用范围也较为广泛。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路结构
领域，特别涉及基准电压电路
，具体是指一种低温度漂移的基准电压电路结构。
技术介绍
模拟电路的带隙源是一种常用的稳压结构。一般的电路结构如图I所示。可以通过公式(I)、(2)、(4)联立得到Va点的电压。Vbel-Vbe2=IcffiXR1 (I)Vbel — Vbe2 =Vt Xln^NlX( 2 )^SNI ^CN2Δ Vbe = Vhel -Vhel =VrXlnii^x = Icm XR1 (3) ^SNl ^CN2Is与发射区面积比成正比，可代入面积比因子N，Icni=Icn2,Va=IxICN2 XR2 + Vbe = V, X !iiN ^ + Vbe(4 ) 尺4电压Va称为能隙基准电压。它通过BE结的负温度特性和Vt的正温度特性相互的补偿可以输出一个零温度漂移的基准源提供给电路内部作为良好的恒压、恒流源。式(3)对温度变化的微分可得式(5)「 dAVbe BR1 dlCN1…---L = _cm( 5 ) dr <π dr但是，在传统的带隙基准电压电路中，基准电压可随环境温度和半导体集成电路制造工艺变化而波动。如上述公本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温度漂移的基准电压电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括产生基准电压的基准电压核心支路、产生负温度补偿电流的温度补偿回路和提供偏置电流的偏置回路，该电路结构还包括基准电压输出回路，所述的温度补偿回路和偏置回路分别连接所述的基准电压核心支路，所述的基准电压输出回路连接所述的温度补偿回路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈继辉，杨颖，张勤，程学农，
申请(专利权)人：无锡华润矽科微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：