电子束蒸发源装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种电子束蒸发源装置，其蒸发源包括坩埚机构、电子束发生机构、散射电子吸收极及离子收集极，坩埚机构上具有多个坩埚，散射电子吸收极设于坩埚的上方，电子束发生机构的上端开设有与坩埚相对应的出孔，离子收集极位于电子束发生机构的上方，电子束发生机构产生的电子束在电场及偏转磁场的作用下偏转270度后入射到坩埚内，形成e型轨迹，能有效防止散杂电子的干扰，且通过散射电子吸收极吸收激发出的有害的散射电子，通过离子收集极吸收游离出的正离子，有效保护膜层及基片；而多个坩埚的设置，加料周期长，有利于大规模生产，且其结构简单，操作简便，自动化程度高。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及蒸发镀膜
，尤其涉及一种用于对有机发光二极管和太阳能电池板进行镀膜用的镀膜机的电子束蒸发源装置。
技术介绍
在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称0LED)和太阳能电池板的生产过程中，很多结构层都依靠真空镀膜工艺生成，因此，真空镀膜的好坏直接影响OLED和太阳能电池板的产品质量，以下以OLED为背景进行介绍真空镀膜技术是OLED众多膜层形成时不可或缺的技术，尤其是真空蒸发镀膜技。所谓真空蒸发镀膜，即在真空腔体内，将蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝 上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、玻璃等基片置于坩埚前方，待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发，蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米，膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间(或决定于装料量)，并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比，具有较高的沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子束蒸发源装置，包括控制器、控制电源及真空腔体，所述真空腔体内设置有蒸发源，所述控制电源分别与所述控制器及所述蒸发源电连接，其特征在于：所述蒸发源包括坩埚机构、电子束发生机构、散射电子吸收极及离子收集极，所述坩埚机构上设置有多个坩埚，所述散射电子吸收极设置于所述坩埚的上方，并使其中一所述坩埚露出所述散射电子吸收极，所述电子束发生机构设置于所述坩埚机构的一侧，且所述电子束发生机构低于所述坩埚，所述电子束发生机构的上端开设有出孔，所述出孔与露出所述散射电子吸收极的坩埚相对应，所述离子收集极设置于所述电子束发生机构的远离所述坩埚机构的另一侧，且所述离子收集极位于所述电子束发生机构的上方，所述电...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶宗锋，刘惠森，杨明生，
申请(专利权)人：东莞宏威数码机械有限公司，
类型：实用新型
国别省市：