多晶硅氢化炉的热场结构制造技术

技术编号:8283139 阅读:208 留言:0更新日期:2013-01-31 23:23
本实用新型专利技术公开了一种多晶硅氢化炉的热场结构,包括隔热罩、隔热盘和底盘,隔热罩具有一容置腔,该容置腔朝向底盘开设有一开口,底盘封闭该开口,隔热盘定位设置在底盘朝向容置腔的一侧面上,且隔热盘容置于容置腔的内部,另在隔热盘上设置有多个电极座;在容置腔内还设置有多组呈倒U型的加热棒单元,该多组加热棒单元皆由一对加热棒组合体和一连接块相连接而成,其中,该对加热棒组合体均由至少两根加热棒从上而下依次可拆卸固定连接而成,从而使加热棒单元的电阻值可调,而且每根加热棒皆采用等静压石墨材质制成,既提高了加热棒电阻率的可靠性,又延长了加热棒的使用寿命,大大提高了热场的稳定性。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及多晶硅氢化炉
,尤其涉及一种多晶硅氢化炉的热场结构
技术介绍
多晶硅在生长过程中,由于热场的不稳定,会在晶体内部产生微晶,这样就会使多晶硅生产的可利用率大大降低;现有的氢化炉在设计、制造中存在不足,无法很好的确保热场的稳定性。
技术实现思路
为了克服上述缺陷,本技术提供了一种多晶硅氢化炉的热场结构,该热场结构稳定可罪,有利于提闻成晶率。本技术为了解决其技术问题所采用的技术方案是一种多晶硅氢化炉的热场结构,包括隔热罩、隔热盘和底盘,所述隔热罩具有一容置腔,该容置腔朝向所述底盘开设有一开口,所述底盘封闭该开口,所述隔热盘定位设置在所述底盘朝向容置腔的一侧面上,且所述隔热盘容置于所述容置腔的内部,另在所述隔热盘上设置有多个电极座;在所述容置腔内还设置有多组呈倒U型的加热棒单元,每组加热棒单元的两底端均分别与其相对应的电极座定位连接。作为本技术的进一步改进,每组加热棒单元皆由一对加热棒组合体和一连接块组成,其中,该对加热棒组合体均由至少两根加热棒从上而下依次可拆卸固定连接而成,所述连接块横跨并固定设于该对加热棒组合体的顶端。作为本技术的进一步改进,每个加热棒组合体中的相邻两本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅氢化炉的热场结构,包括隔热罩、隔热盘(2)和底盘(3),所述隔热罩具有一容置腔(1),该容置腔朝向所述底盘开设有一开口,所述底盘封闭该开口,所述隔热盘(2)定位设置在所述底盘(3)朝向容置腔的一侧面上,且所述隔热盘容置于所述容置腔的内部,另在所述隔热盘(2)上设置有多个电极座(20);其特征在于:在所述容置腔(1)内还设置有多组呈倒U型的加热棒单元(4),每组加热棒单元的两底端均分别与其相对应的电极座定位连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:方定盛
申请(专利权)人:美尔森先进石墨昆山有限公司
类型:实用新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1