一种高温生长晶片的卸载装置及其卸载方式制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种高温生长晶片的卸载装置及其卸载方式，实现汽相外延设备在生长工艺不间断状态下卸载高温生长的晶片。本发明专利技术的生长腔侧壁设有进料窗，生长腔下面设有下料腔，下料腔下面设有卸料腔，卸料腔侧壁设有出料窗，卸料腔内设有可升降托盘的底部升降托台，下料腔内设有复数组小型气缸，小型气缸向内的端部设有夹具，下料腔内设有复数的感应加热线圈。本发明专利技术尤适用于目前HVPE垂直系统中，可缩短工艺周期、提高生产效率，促进产业化。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于，特别涉及一种用于半导体行业中，安装在汽相外延法或者汽相沉积法等材料生长设备的上下料窗；本专利技术涉及的新型卸载方式与装置，适合用于半导体行业的汽相外延或汽相沉积法等材料生长设备中的高温生长晶片的卸载系统。
技术介绍
氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料，具有宽禁带宽度，高击穿电压、高电子迁移率、化学性质稳定等特点，非常适合制作抗辐射、高频率、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝光、绿光和紫外光电子器件。在半导体发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、紫外探测器以及高能高频电子器件等方面有广阔的应用前景。所以近年来，倍受各界人士青睐，行业投资不断。 在多种GaN衬底生长技术中，HVPE (氢化物汽相外延)以其高速率(可以达到800ym/h以上)生长、低成本、可大面积生长和均匀性好等显著优点，成为GaN衬底生长取得突破的首选，目前国内外绝大多数研究工作都集中于此。HVPE生长GaN衬底，通常是在蓝宝石或砷化镓等衬底上外延O. 5^1mm的厚膜，然后通过激光剥离、研磨或蚀刻等方式将衬底移除，将获得的GaN抛光形成自支撑GaN衬底。但是在HVPE生产过程中，氮化镓(GaN)薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高温生长晶片的卸载装置，包含有：生长腔（Q1），生长腔（Q1）侧壁设有进料窗（W1），其特征在于：所述生长腔（Q1）下面设有下料腔（Q2），下料腔（Q2）内可装载下料中样品托盘（T3、T4、T5、T6），下料腔（Q2）下面设有卸料腔（Q3），卸料腔（Q3）侧壁设有出料窗（W2），卸料腔（Q3）内设有底部升降托台（T9），下料腔（Q2）内设有复数组小型气缸（G3），每组的两个小型气缸（G3）相互对应，小型气缸（G3）向内的端部设有与下料中样品托盘（T3、T4、T5、T6）周缘形状对应的夹具（J3），下料腔（Q2）内设有复数的感应加热线圈（C1、C2、C3）。

【技术特征摘要】
1.一种高温生长晶片的卸载装置，包含有生长腔(Q1)，生长腔(Ql)侧壁设有进料窗(W1)，其特征在于所述生长腔(Ql)下面设有下料腔(Q2)，下料腔(Q2)内可装载下料中样品托盘(T3、T4、T5、T6)，下料腔(Q2)下面设有卸料腔(Q3)，卸料腔(Q3)侧壁设有出料窗(W2)，卸料腔(Q3)内设有底部升降托台(T9)，下料腔(Q2)内设有复数组小型气缸(G3)，每组的两个小型气缸(G3 )相互对应，小型气缸(G3 )向内的端部设有与下料中样品托盘(T3、T4、T5、T6)周缘形状对应的夹具(J3)，下料腔(Q2)内设有复数的感应加热线圈(Cl、C2、C3)。2.根据权利要求I所述的一种高温生长晶片的卸载装置，其特征在于所述小型气缸(G3)与夹具(J3)设有固定板(B3)，固定板(B3)外侧设有一个以上小型气缸(G3)，固定板(B3)内侧设有连接小型气缸(G3)的夹具(J3)，固定板(B3)是把夹具(J3)、小型气缸(G3)同步在下料腔(Q2)位移。3.根据权利要求I所述的一种高温生长晶片的卸载装置，其特征在于所述感应加热线圈(Cl、C2、C3)内可容置下料中样品托盘(T3、T4、T5、T6)，感应加热线圈(Cl、C2、C3)位于下料腔(Q2)内复数下料中样品托盘(T3、T4、T5、T6)的外围。4.根据权利要求I所述的一种高温生长晶片的卸载装置，其特征在于所述底部升降托台(T9)底面连接升降杆(Τ10)，每组的两个小型气缸(G3)水平相对。5.一种高温生长晶片的卸载方式，其特征在于，包括以下步骤 ①、盛有样品的具有热膨胀系数小、热传导性良好和不挥发等性质的托盘(Tl)，通过进料窗(Wl)把样品托盘(Tl)放进材料生长腔(Ql)内，作为正在生长的样品托盘(Τ2)； ②、关闭进料窗(Wl)后进行材料生长，生长腔(Ql)顶部有喷头，三五簇的源气从其喷口出来，供用外延生长； ③、正在生长的样品托盘(...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁志鹏，刘鹏，王永旺，赵红军，张俊业，张国义，童玉珍，孙永健，
申请(专利权)人：东莞市中镓半导体科技有限公司，北京大学，
类型：发明
国别省市：