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本发明公开了一种高温生长晶片的卸载装置及其卸载方式,实现汽相外延设备在生长工艺不间断状态下卸载高温生长的晶片。本发明的生长腔侧壁设有进料窗,生长腔下面设有下料腔,下料腔下面设有卸料腔,卸料腔侧壁设有出料窗,卸料腔内设有可升降托盘的底部升降托...该专利属于东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学所有,仅供学习研究参考,未经过东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学授权不得商用。
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