半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：在半导体衬底上形成的被图案化的叠层结构，所述叠层结构从下至上依次包括含硅半导体层、栅极电介质层和栅极层；在所述含硅半导体层的两侧选择性外延生长的被掺杂的外延半导体层，其中，所述外延半导体层形成抬高的源漏延伸区，并且所述含硅半导体层用作沟道区。根据本发明专利技术，能够有利地使得源漏延伸区的结深浅(或厚度小)且掺杂浓度高。并且，当半导体器件为PMOS晶体管且含硅半导体层为SiGe层时，能够有利地提高载流子迁移率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。本专利技术尤其涉及具有外延的源漏延伸区的。
技术介绍
当前，数以百万的半导体器件被集成在一起以形成超大规模集成电路。图I示出常规的半导体器件(晶体管)的截面图。晶体管一般包括半导体衬底上的栅极电介质层140和栅极电介质层140上的栅极层150。在栅极电介质层140和栅极层150的侧壁上形成有侧壁间隔件160和165。晶体管一般还包括栅极层150两侧的一对源漏区110。此外，一对源漏延伸区120形成在半导体衬底的表面区域中，并延伸到栅极电介质层140和栅极层150之下。沟道区130形成在一对源漏延伸区120之间、栅极电介质层 140之下的半导体衬底中。随着晶体管的特征尺寸不断地缩小，希望源漏延伸区120的结深浅(或厚度小)以减小面结电容(area junction capacitance),并且还希望源漏延伸区120的激活掺杂剂浓度高以减小积累电阻(accumulation resistance),从而增大晶体管的驱动电流。为了上述目的，通常对于通过离子注入所形成的源漏延伸区进行退火，尤其是激光熔化/亚熔退火。但是，本专利技术的专利技术人对此进行了深入研究，发现通过离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：在半导体衬底上形成的被图案化的叠层结构，所述叠层结构从下至上依次包括含硅半导体层、栅极电介质层和栅极层；在所述含硅半导体层的两侧选择性外延生长的被掺杂的外延半导体层，其中，所述外延半导体层形成抬高的源漏延伸区，并且所述含硅半导体层用作沟道区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：