半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件以及半导体器件的制造方法。根据本发明专利技术实施例的半导体器件可以包括：鳍有源区，该鳍有源区设置在绝缘层上；设置在鳍有源区顶部的阈值电压调节层，该阈值电压调节层用于调节所述半导体器件的阈值电压；栅极叠层，该栅极叠层设置在阈值电压调节层上、鳍有源区的侧壁上以及绝缘层上并且包括栅极电介质和形成在栅极电介质上的栅电极；以及，分别形成在栅极叠层两侧、鳍有源区中的源区和漏区。根据本发明专利技术的半导体器件包括阈值电压调节层，其可以对半导体器件的阈值电压进行调节。这提供了一种能够调节包括鳍有源区的半导体器件的阈值电压的简便的方式。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件。更具体而言，本专利技术涉及一种包括鳍有源区的半导体器件。本专利技术还涉及这种半导体器件的制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，出现了包括鳍有源区的半导体器件，比如鳍型场效应晶体管(Finfet)。对于下一代超大规模集成电路(VLSI)技术而言，包括鳍有源区的半导体器件、比如Finfet是很有前景的半导体器件。然而，如何调节包括鳍有源区的半导体器件的阈值电压是一个非常有挑战性的技术问题。特别是对于包括高k金属栅极的CMOS Finfet而言，阈值电压的调节变得更为困难。为了调节N型场效应晶体管(NFET)和P型场效应晶体管(PFET)的阈值电压达到需要 值，通常需要在NFET和PFET上形成不同的金属栅极。然而，这样的工艺使得栅极在NFET和PFET边界处高度不容易控制，成品率较低。因此，需要能够调节包括鳍有源区的半导体器件的阈值电压的简单的解决方案。
技术实现思路
本专利技术的其中一个目的是克服以上缺点中的至少一些，并提供一种改进的。根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体器件。该半导体器件可以包括鳍有源区，该鳍有源区设置在绝缘层上；设置在鳍有源区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：鳍有源区，所述鳍有源区设置在绝缘层上；设置在所述鳍有源区顶部的阈值电压调节层，所述阈值电压调节层用于调节所述半导体器件的阈值电压；栅极叠层，所述栅极叠层设置在所述阈值电压调节层上、所述鳍有源区的侧壁上以及所述绝缘层上并且包括栅极电介质和形成在所述栅极电介质上的栅电极；以及分别形成在所述栅极叠层两侧、所述鳍有源区中的源区和漏区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁擎擎，朱慧珑，钟汇才，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：