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本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：在半导体衬底上形成的被图案化的叠层结构，所述叠层结构从下至上依次包括含硅半导体层、栅极电介质层和栅极层；在所述含硅半导体层的两侧选择性外延生长的被掺杂的外延半导体层，其中，所述外延半导体...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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