一种低残余应力的铜薄膜制备方法技术

本发明专利技术涉及金属薄膜的制备技术，其公开了一种新的制备工艺简便的铜薄膜制备方法，且有效控制在制备过程中产生的残余应力的大小，从而实现低残余应力的铜薄膜材料的制备。该方法应用在磁控溅射镀膜设备上，采用射频进行磁控溅射以制备铜薄膜，所述磁控溅射镀膜设备具有磁控溅射腔室，在所述磁控溅射腔室中设有磁控溅射靶；具体包括以下步骤：a.对基片进行预处理；b.将经过预处理后的基片放置在磁控溅射腔室内；c.对磁控溅射腔室进行抽真空；d.向磁控溅射腔室内通入高纯氩气；e.调节射频溅射功率和气压，对磁控溅射靶进行溅射，在基片上形成铜薄膜；f.在磁控溅射腔室冷却后，取出铜薄膜样品，进行残余应力测试。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属薄膜的制备技术，具体的说，是涉及一种低残余应力的铜(Cu)薄膜制备方法。
技术介绍
目前，金属材料的制备过程中不可避免地将会产生残余应力，而残余应力的大小将会严重影响金属材料的性能及其实际应用；一般来说影响金属材料的残余应力的大小因素有工艺手段和制备参数。在申请号为200580000371的专利申请中，提供了一种制备Cu膜的方法，该方法主要是将蒸汽压高，对衬底湿润性好的Cu羧酸络合物或其衍生物气化，作为原料气体使用， 并使用H2作为还原气体，使原料气体吸附在基片上，使还原气体还原吸附的原料气体，形成保形良好膜质的Cu薄膜。在申请号为201110038826的专利申请中，提供了一种快速消除金属材料残余应力的新方法，用电网作电源，通过交-直-交变频方式，在电感元件产生一个高频、高磁场强度的空间，将待处理的金属材料置于该空间中，构成闭合高频磁路的一部分，让高频交变的磁力线进金属材料组织形成闭合。该方法中的高频磁场是通过电力电子器件与单片机的配合,通过交-直-交变频方式,在电感元件上产生。在申请号为200910146299的专利申请中，提供了一种铜溅射靶材料及溅射法，不用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低残余应力的铜薄膜制备方法，应用在磁控溅射镀膜设备上，采用射频进行磁控溅射以制备铜薄膜，所述磁控溅射镀膜设备具有磁控溅射腔室，在所述磁控溅射腔室中设有磁控溅射靶；其特征在于，该制备方法包括以下步骤：a.对基片进行预处理；b.将经过预处理后的基片放置在磁控溅射腔室内；c.对磁控溅射腔室进行抽真空；d.向磁控溅射腔室内通入高纯氩气；e.调节射频溅射功率和气压，对磁控溅射靶进行溅射，在基片上形成铜薄膜；f.在磁控溅射腔室冷却后，取出铜薄膜样品，进行残余应力测试。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐武，王学慧，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：