一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备制造技术

一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备，主要应用于高离化率的反应磁控溅射镀膜领域。本实用新型专利技术包括镀膜室、镀膜室门、工件转架、圆柱磁控靶、充气系统、靶挡板及真空抽气口，镀膜室门通过铰链固定在镀膜室上，在镀膜室的外壁上设有真空抽气口，在镀膜室的下盖上设有工件转架，在镀膜室的上盖上设有圆柱磁控靶和充气系统，工件转架与偏压电源相连接；其特点是圆柱磁控靶的设置数量为大于或等于4的偶数个，圆柱磁控靶磁铁的磁极面向被镀工件设置，并使各圆柱磁控靶之间形成闭合的磁回路；奇数圆柱磁控靶的磁极是N-S-N，偶数圆柱磁控靶的磁极是S-N-S，或者奇数圆柱磁控靶的磁极是S-N-S，偶数圆柱磁控靶的磁极是N-S-N。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备，主要应用于高离化率的反应磁控溅射镀膜领域。
技术介绍
磁控溅射作为ー种低温、高速的镀膜方式被广泛应用于电子、机电、仪表、航天等各个领域。磁控溅射所镀薄膜的性能分为ニ大类一种是功能性薄膜，另ー种是装饰性薄膜；其中最重要的是功能性薄膜，功能性薄膜对成膜过程中的离化率指标要求很高，现有的磁控溅射镀膜方式的离化率不能满足某些功能性薄膜的要求，这样就限制了磁控溅射的应用范围。磁控溅射的基本原理是在一定的真空下(10_2pa)，向镀膜室内充入工作气体到特定的真空度(I(T1Pa),然后给磁控祀施加几百伏的负电压；由于磁控祀本身有磁场,在磁控 靶与镀膜室之间形成了一个正交的电磁场，镀膜室中的游离电子在正交电磁场的作用下向正极(镀膜室)加速行进，在行进过程中与工作气体碰撞，把工作气体电离，产生正离子和电子，正尚子在电场的作用下与祀材撞击，祀材原子被撞击出来，沉积在エ件上，电子继续电离工作气体。这个过程称为溅射，磁控靶本身的磁场控制电子沿着磁力线螺旋形运动，来増加电子的行进路程，从而提高电子与工作气体的碰撞次数；电子行进路程越长、电子的数量越多，磁控靶的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备，包括镀膜室、镀膜室门、工件转架、圆柱磁控靶、充气系统、靶挡板及真空抽气口，所述镀膜室门通过铰链固定在镀膜室上，在所述镀膜室的外壁上设有真空抽气口，在镀膜室的下盖上设有工件转架，在镀膜室的上盖上设有圆柱磁控靶和充气系统，所述工件转架与偏压电源相连接；其特征在于所述圆柱磁控靶的设置数量为大于或等于4的偶数个，圆柱磁控靶磁铁的磁极面向被镀工件设置，并使各圆柱磁控靶之间形成闭合的磁回路；其中，奇数圆柱磁控靶磁铁的磁极是N？S？N，偶数圆柱磁控靶磁铁的磁极是S？N？S，或者奇数圆柱磁控靶磁铁的磁极是S？N？S，偶数圆柱磁控靶磁铁的磁极是N？S？N。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金广福，
申请(专利权)人：爱发科中北真空沈阳有限公司，
类型：实用新型
国别省市：