向上成膜磁控溅射装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种向上成膜磁控溅射装置，包括镀膜室，其中，所述镀膜室中具有上部腔体、下部腔体、溅射靶材和基片，所述溅射靶材位于所述上部腔体和所述下部腔体之间并靠近所述下部腔体的一侧，所述基片位于所述溅射靶材与所述上部腔体之间，所述溅射靶材材料被溅射后向上成膜于所述基片的靠近所述溅射靶材的一侧。本实用新型专利技术的向上成膜磁控溅射装置，能有效避免装置中的残渣对产品的污染、提高良率、节省成本的同时提高生产效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及磁控溅射成膜
，特别涉及ー种向上成膜的磁控溅射装置。
技术介绍
磁控溅射法是在高真空条件下充入适量的氩气，在阴极(柱状靶或平面靶)和阳极(镀膜室壁)之间施加几百千伏的直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使氩气发生电离。氩离子被阴极加速并轰击阴极靶表面，将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。通过更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间，便可以获得不同材质和不·同厚度的薄膜。磁控溅射法具有镀膜层与基材的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点。目前，磁控溅射法已经普遍应用在エ业生产中，例如制备铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池的过程中薄膜的沉积一般需要采用磁控溅射法。目前，现有的磁控溅射装置中，通常将溅射靶材及其附属设备或零部件安装在镀膜室上部，增大镀膜室上部空间，缩小镀膜室下部空间，例如当生产铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池片时，将铜铟镓硒膜层镀于基片材料基片正面；现有的磁控溅射装置中或者将溅射靶材安装在镀膜室左右两侧的ー侧。图I所示为现有技术中ー种磁控溅射装置的结构示意图，如图I所示，现有技术中ー种磁控溅射装置的镀膜室中包括上部腔体10、位于上部腔体10上的溅射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种向上成膜磁控溅射装置，包括镀膜室，其特征在于，所述镀膜室中具有上部腔体、下部腔体、溅射靶材和基片，所述溅射靶材位于所述上部腔体和所述下部腔体之间并靠近所述下部腔体的一侧，所述基片位于所述溅射靶材与所述上部腔体之间，所述溅射靶材材料被溅射后向上成膜于所述基片的靠近所述溅射靶材的一侧。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王进东，
申请(专利权)人：江苏宇天港玻新材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：