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本发明涉及金属薄膜的制备技术，其公开了一种新的制备工艺简便的铜薄膜制备方法，且有效控制在制备过程中产生的残余应力的大小，从而实现低残余应力的铜薄膜材料的制备。该方法应用在磁控溅射镀膜设备上，采用射频进行磁控溅射以制备铜薄膜，所述磁控溅射镀膜...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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