一种电子级砷烷的合成和提纯方法技术

本发明专利技术公开了一种电子级砷烷的合成和提纯方法，其特征在于，将砷化锌粉末与稀硫酸反应生成粗制的砷烷气体；将粗制的砷烷气体先通过冷凝器将气体中的液滴分离，然后通过吸附阱除去水分和二氧化碳，再置于第一液氮冷阱中，使砷烷凝固；然后将砷烷进行加热蒸发；通入化学吸附柱，去除含有硫化物的杂质，再通入分子筛吸附柱，去除含有水分、氧气、二氧化碳的杂质；最后将砷烷气体置于第二液氮冷阱中，使砷烷凝固，得到高纯度的砷烷产品。采用本发明专利技术提供的合成和提纯方法制备的砷烷产品，其纯度可达6N，产品中的杂质含量小于0.1ppm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
砷烷(AsH3)是一种非常 重要的电子气体，作为n型掺杂剂，在外延和离子注入工艺中起着十分关键的作用。同时砷烷也是合成化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷砷化镓(GaAsP)的重要原料。化合物半导体广泛应用于发光二极管(LED)和高效太阳能电池的制造。砷烷(AsH3)合成不能通过简单的单质反应来实现，通常是使用金属砷化物水解来制备。其产率取决于砷化物中金属元素的性质和采用何种分解剂。通常产率在14%-86%之间。目前应用于电子行业的砷烷的纯度都在6N(99. 9999% )左右，主要由国外两家跨国公司生产和销售。我国由于技术原因只能生产3N-4N左右纯度的砷烷，而且产量很小。由于高纯砷烷可用于军工产品的制造，国外对其出口采取了严格的许可证和“客户资格认证”制度。因此，国内高纯砷烷长期处于供不应求的局面。电子特种材料被视为高科技发展的战略物资。没有电子特种材料技术，就无从谈起高科技产业的持续发展。所以中国的电子特种材料国产化是迫在眉睫，意义重大。现国内也有公布的砷烷提纯方法，主要采用镓-铟合金液体深吸附脱水、氧来得到电子级的砷烷，这种吸附方式不可再生，且重金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子级砷烷的合成和提纯方法，其特征在于，依次包括如下步骤：第一步：将砷化锌粉末与质量浓度为10％？50％的稀硫酸反应生成粗制的砷烷气体；第二步：将第一步制得的粗制的砷烷气体先通过冷凝器(4)将气体中的液滴分离，冷凝器的温度为？40？0℃；然后通过吸附阱(5)除去水分和二氧化碳；再通入中转容器(6)中，将该中转容器置于第一液氮冷阱(7)中，使砷烷凝固；第三步：将第二步得到的砷烷进行加热蒸发，产生砷烷气体；第四步：将第三步得到的砷烷气体通入含有碱性物质的化学吸附柱(9)，去除含有硫化物的杂质；再通入氧化铝分子筛吸附柱(10)，去除含有水分、氧气、二氧化碳的杂质；第五步：将第四步得到砷烷气体通入...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李东升，周力，汤剑波，
申请(专利权)人：上海正帆科技有限公司，合肥正帆电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：