【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种硅的提纯方法，特别涉及一种多晶硅的提纯方法，属于化学
技术介绍
多晶硅是太阳能电池生产的重要原材料，要求其纯度在5-6N数量级。物理法提纯多晶硅，投资少，见效快，对环境友好，是一种有前途的多晶硅提纯技术。物理法提纯多晶硅包括酸洗法、合金法、真空熔炼法、定向凝固法、造渣法和电解法等，其中酸洗法以其能量消耗少，提纯效率高，工艺简单，生产成本低廉而被逐渐推广使用。多晶硅杂质分为粘附型杂质和结构型杂质两类。粘附性杂质一般为金属氧化物或金属硅化物，多位于多晶硅晶界处，采用酸洗法和定向凝固法很容易将其移除。结构型杂质主要指P和B两种元素，它们与Si结成共价键熔于多晶硅晶格中，与硅共同形成晶体。P和B是多晶硅中最难移除的两种元素，尤其是B，分凝系数比较大，与硅相比，饱和蒸汽压比较低，采用定向凝固法和普通的酸洗法很难将其从硅中移除。造渣法提纯多晶硅中的硼，程序繁琐，能量消耗高，需要技术改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前的现有多晶硅提纯中存在的上述问题，提供一种多晶硅的提纯方法。为实现本专利技术的目的，采用了下述的技术方案：一种多晶硅的提纯...
【技术保护点】
一种多晶硅的提纯方法，其特征在于包括以下步骤：A：将原料多晶硅研磨至粒度为36‑260μm；B：将研磨后的多晶硅在氩气保护下以5℃/min的速度从室温煅烧至1050±5℃,保持0.5h；再以1℃/min速度继续加热至1250±5℃，保持0.5h，加热的同时不断抽气，然后将硅在冷水中快速淬火至室温，金属硅表面出现炸纹；C：将淬火后的多晶硅在酸洗液中酸洗，酸洗工艺为：C1：酸洗液配制，按照摩尔比氢氟酸8‑10份：硝酸8‑10份：去离子水70‑75份配制酸洗液；C2：将淬火后的多晶硅投入酸洗液中酸洗2‑2.5小时，投入多晶硅的质量为酸洗液质量的3.5‑7%酸洗液温度50℃‑75℃...
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅的提纯方法，其特征在于包括以下步骤：A：将原料多晶硅研磨至粒度为36-260μm；B：将研磨后的多晶硅在氩气保护下以5℃/min的速度从室温煅烧至1050±5℃,保持0.5h；再以1℃/min速度继续加热至1250±5℃，保持0.5h，加热的同时不断抽气，然后将硅在冷水中快速淬火至室温，金属硅表面出现炸纹；C：将淬火后的多晶硅在酸洗液中酸洗，酸洗工艺为：C1：酸洗液配制，按照摩尔比氢氟酸8-10份：硝酸8-10份：去离子水70-75份配制酸洗液；C2：将淬火后的多晶硅投入酸洗液中酸洗2-2.5小时，投入多晶硅的质量为酸洗液质量的3.5-7%酸洗液温度50℃-75℃，磁子搅拌速度为1500r/min；C3：加入络合剂酸洗，在步骤C2完成后，...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘振东，李现常，翟亚芳，刘照亮，
申请(专利权)人：安阳工学院，
类型：发明
国别省市：河南;41
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。