背面接触光伏电池的制造方法以及由该方法制造的背面接触光伏电池技术

一种用于从第一导电类型的硅半导体衬底制造太阳能电池的方法，所述衬底具有正面和背面；所述方法包括：在背面上生成第一导电类型的掺杂层，作为背面掺杂层，作为太阳能电池中的背面场；在正面上生成第二导电类型的掺杂层，作为正面掺杂层，作为太阳能电池中的发射极层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；其中，所述方法还包括：在背面中生成凹陷，以形成第一导电类型的背面掺杂层的构图，以便生成背面场区，所述凹陷没有背面掺杂层材料，以及在衬底中生成通孔，每一通孔都位于相关的凹陷内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种背面接触光伏电池的制造方法。此外，本专利技术涉及ー种背面接触光伏电池。
技术介绍
基于单晶硅晶圆或多晶硅晶圆的背面接触光伏电池或太阳能电池包括金属化方案，其中正负极性的接触电极均被布置在太阳能电池的背面。这个金属化方案应用金属穿孔卷绕通过(MWT)或者发射极电极绕通(EWT)或者交叉梳状背面接触太阳能电池(IBC)概念以致使接触电极到达背面，以便获得可用于在使用中朝向辐射源(例如，太阳)的太阳能电池正面上光电转换的最大面积。MWT太阳能电池的并且通常也是EWT太阳能电池的顶层借助延伸通过晶圆的孔中的ー个或多个金属插塞连接到电池背面上的正面接触电极。通过衬底的孔中的金属插塞或金属体的布置也称为“过孔”，孔也称为“通孔”。由于多个原因，现有技术的背面接触太阳能电池的效率相对较差。已知在传统MWT或EWT技术中，通过过孔的电导能够相对较小。过孔的金属化通常借助丝网印刷工艺获得，其将金属糊状物压入到过孔中。通过这种方法难以获得利用金属完全填充的过孔。低电导的结果是太阳能电池的效率因此减小。在传统EWT中，通过过孔的浅扩散表面层的电导较小，并限制了太阳能电池的效率。对于太阳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·吉耶万，L·J·格林斯，
申请(专利权)人：荷兰能源建设基金中心，
类型：
国别省市：