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一种用于从第一导电类型的硅半导体衬底制造太阳能电池的方法，所述衬底具有正面和背面；所述方法包括：在背面上生成第一导电类型的掺杂层，作为背面掺杂层，作为太阳能电池中的背面场；在正面上生成第二导电类型的掺杂层，作为正面掺杂层，作为太阳能电池中的...
该专利属于荷兰能源建设基金中心所有，仅供学习研究参考，未经过荷兰能源建设基金中心授权不得商用。

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