具有阴离子控制的介电性质的钙钛矿材料、薄膜电容器器件及其制造方法技术

一种结晶态的钙钛矿晶体复合顺电材料包含：分散在结晶态氧化物钙钛矿材料的纳米晶粒尺寸的基体中的富含N3-阴离子的纳米区域，其中(ABO3-δ)α-(ABO3-δ-γNγ)1-α。A表示二价元素，B表示四价元素，y满足0.005＜γ≤1.0，1-α满足0.05＜1-α＜0.9，且1-α是所述富含N3-阴离子的区域和其余的氧化物钙钛矿材料基体之间的面积比。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
I.专利
本专利技术涉及适用于铁电的可调谐的器件的薄膜材料和/或基于这种材料的去耦薄膜电容器，并涉及制造薄膜器件的方法，且更具体地，涉及顺电的钙钛矿氧氮化物纳米复合材料和制备这种材料的方法，这种材料用于形成具有改良的电压可调谐性的变容二极管器件和高电容密度薄膜去耦电容器。2.相关技术描述 为了实现铁电变容二极管的最大可调谐性，必须施加最大电压，以引起为了产生最大可能的电容变化所需的电容常数的改变。图I说明了典型的由使用薄膜铁电材料如(Ba，Sr) TiO3的铁电变容二极管获得的可调谐性的实例。图I对应于U. S. 2009/0069274的图7。U. S. 2009/0069274 公开了，在 450kV/cm 至 500kV/cm 的电场下可调谐性为2.8 1，或在450kV/cm的偏压场下，原始电容降低70%，如图I所示。附加的实施例报告了，对于用于平行板Pt/BST/Pt MIM型可变电容器(变容二极管)的IOOnm至200nm厚的(Ba，Sr) TiO3 (BST)膜，典型的可调谐性处于在11伏为4 I (参见，例如U. S. 2007/0069274的图5)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：掘露伊保龙，桧贝信一，安藤阳，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：
国别省市：