【技术实现步骤摘要】
技术区域本专利技术涉及强电介质薄膜及其制造方法以及强电介质存储元件、强电介质压电元件。
技术介绍
近年来，广泛地进行着PZT、SBT等薄膜和使用了它们的强电介质电容器、强电介质存储装置等的研究和开发。强电介质存储装置的结构大致分为1T、1T1C、2T2C、单纯矩阵型。其中，1T型由于在结构上电容器中发生内部电场，因此记忆(数据保持)很短，为一个月，不能做到一般半导体所要求的10年。1T1C型和2T2C型的结构与DRAM大致相同，且为了具有选择用晶体管，可以有效地利用DRAM的制造技术，且由于实现SRAM程度的写入速度，因此，迄今为止已商品化了256kbit以下的小电容品。至此，作为强电介质材料，主要使用Pb(Zr，Ti)O3(PZT)，但在该材料的情况下，使用Zr/Ti比为52/48或40/60的棱面体晶和正方晶的混合区域及其附近的组成，且掺杂La、Sr、Ca元素来使用。所述的使用该区域且进行掺杂，是为了确保对存储元件最必要的可靠性。强电介质存储器应用最先进的PZT是PbZrO3和PbTiO3的固溶体，以Zr与Ti的比率为52/48为界限，包含Zr多的情况下，示出细...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种强电介质薄膜，其特征在于，在同一晶体系中，在电场外加方向上不具有极化轴。2.一种强电介质薄膜，其特征在于，在同一晶体系中，在电场外加方向上不具有180°区域。3.一种强电介质薄膜，其特征在于，在同一晶体系中，在垂直于电场的方向上不具有90°区域。4.如权利要求1～3中任一项所述的强电介质薄膜，其特征在于，在强电介质薄膜面内，对于电场外加方向，180°区域按同一角度旋转。5.如权利要求1～3中任一项所述的强电介质薄膜，其特征在于，在强电介质薄膜面内，对于电场外加方向，90°区域按同一角度旋转。6.如权利要求1～3中任一项所述的强电介质薄膜，其特征在于，在强电介质薄膜面内，对于电场外加方向，180°区域在同一电场内反转。7.如权利要求1～3中任一项所述的强电介质薄膜，其特征在于，在强电介质薄膜面内，对于电场外加方向，90°区域在同一电场内反转。8.如权利要求1～3中任一项所述的强电介质薄膜，其特征在于，在强电介质薄膜面内，对于电场外加方向，按同一角度旋转的极化成分，接受同一外加电场，显示同一极化值。9.如权利要求1～8中任一项所述的强电介质薄膜，其特征在于，由在强电介质薄膜面内，在电场外加方向上高取向后的多晶体构成。10.如权利要求1～8中任一项所述的强电介质薄膜，其特征在于，在强电介质薄膜面内，对于电场外加方向，极化轴分布不具有各向异性。11.如权利要求1～10中任一项所述的强电介质薄膜，其特征在于，在强电介质薄膜面内，对于电场外加方向，使用(111)取向后的正方晶Pb(Zr，Ti)O3强电介质。12.如权利要求1～10中任一项所述的强电介质薄膜，其特征在于，在强电介质薄膜面内，对于电场外加方向，使用(001)取向后的棱面体晶Pb(Zr，Ti)O3强电介质。13.如权利要求1～1...
【专利技术属性】
技术研发人员：木岛健，滨田泰彰，名取荣治，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：
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