【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁头和介质，更具体地，本专利技术涉及在这样的头和介质中使用Ru合金从而增强反平行交换耦合。
技术介绍
计算机的核心是磁盘驱动器，其包括旋转磁盘、具有读和写头(也称为写入器(writer)和传感器)的滑块、旋转盘之上的悬臂、以及转动悬臂从而将读和写头置于旋转盘上选定环形道之上的致动臂。当盘不旋转时悬臂偏置滑块接触盘的表面，但是当盘旋转时，空气被邻近滑块气垫面(ABS)的旋转盘旋动，导致滑块骑在气垫上距旋转盘的表面一微小的距离。当滑块骑在此气垫上时，采用写和读头来写磁印(magnetic impression)到旋转盘且从旋转盘读磁信号场。读和写头连接到根据计算机程序运行的处理电路从而实现写和读功能。在大容量盘驱动器中，通常称为MR头的磁致电阻(MR)读传感器因为其与薄膜感应头相比以更大的道和线密度从盘的表面读取数据的能力而成为普遍使用的读传感器。MR传感器通过其MR检测层(也称为“MR元件”)的作为由MR层检测到的磁通量的强度和方向的函数的电阻的变化来检测磁场。传统MR传感器根据各向异性磁致电阻(AMR)效应工作，AMR效应中MR元件电阻随MR元件的磁化与流经MR元件的检测电流(sense current)的方向之间的角度的余弦的平方而变化。因为来自于已记录的磁介质的外磁场(信号场)导致MR元件中磁化方向的变化，其又导致MR元件中电阻的变化和检测电流或电压的相应变化，所以可以从磁介质读出记录的数据。另一类型的MR传感器是巨磁致电阻(GMR)传感器，其表现GMR效应。GMR传感器中，GMR传感器的电阻作为被非磁层(间隔层)分隔开的铁磁层之间的...
【技术保护点】
一种磁存储系统，包括：磁介质，包括：铁磁记录层；第二层，其与所述记录层反铁磁耦合；以及ＡＰ耦合层，其位于所述记录层与所述第二层之间，其中所述ＡＰ耦合层由包括Ｒｕ和铁磁金属的Ｒｕ合金构成；至少一个头，其 用于从所述磁介质读取或向其写入，每个头具有：传感器，包括：自由层；反平行（ＡＰ）被钉扎层结构，其与所述自由层间隔开，其中所述ＡＰ被钉扎层结构包括至少两个被钉扎层，其具有彼此反平行的自钉扎的磁矩，所述被钉扎层通 过ＡＰ耦合层分隔开，其中所述ＡＰ耦合层由Ｒｕ合金构成；写入器，其结合到所述传感器；滑块，其用于支承所述头；以及控制单元，其耦接到所述头，用于控制所述头的运行。
【技术特征摘要】
US 2005-1-31 11/047,8011.一种磁存储系统，包括磁介质，包括铁磁记录层；第二层，其与所述记录层反铁磁耦合；以及AP耦合层，其位于所述记录层与所述第二层之间，其中所述AP耦合层由包括Ru和铁磁金属的Ru合金构成；至少一个头，其用于从所述磁介质读取或向其写入，每个头具有传感器，包括自由层；反平行(AP)被钉扎层结构，其与所述自由层间隔开，其中所述AP被钉扎层结构包括至少两个被钉扎层，其具有彼此反平行的自钉扎的磁矩，所述被钉扎层通过AP耦合层分隔开，其中所述AP耦合层由Ru合金构成；写入器，其结合到所述传感器；滑块，其用于支承所述头；以及控制单元，其耦接到所述头，用于控制所述头的运行。2.一种磁头，包括自由层；反平行(AP)被钉扎层结构，其与所述自由层间隔开，其中所述AP被钉扎层结构包括至少两个被钉扎层，其具有彼此反平行的自钉扎的磁矩，所述被钉扎层通过AP耦合层分隔开，其中所述AP耦合层由Ru合金构成；3.如权利要求2所述的头，其中所述Ru合金包括铁磁材料。4.如权利要求2所述的头，其中所述Ru合金包括Fe。5.如权利要求2所述的头，其中所述Ru合金包括Co。6.如权利要求2所述的头，其中所述Ru合金包括CoFe。7.如权利要求6所述的头，其中所述Ru合金包括约5％和约40％之间重量的CoFe。8.如权利要求2所述的头，其中所述Ru合金包括NiFe。9.如权利要求2所述的头，其中所述Ru合金包括Ni。10.如权利要求2所述的头，其中所述AP耦合层的厚度小于8。11.如权利要求2所述的头，其中所述AP耦合层的厚度在约4和20之间。12.如权利要求2所述的头，其中所述AP耦合层的厚度在5和7之间。13.如权利要求2所述的头，其中所述头构成GMR头的一部分。14.如权利要求2所述的头，其中所述头构成CPP GMR传感器的一部分。15.如权利要求2所述的头，其中所述头构成CIP GMR传感器的一部分。16.如权利要求2所述的头，其中所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李文扬，李晋山，玛丽F多尔纳，布赖恩R约克，埃里克E富勒顿，
申请(专利权)人：日立环球储存科技荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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