提供用于测量在硬盘驱动器（HDD）内磁头和磁盘界面之间的接触电势的硬盘驱动器和方法的方法。在一个示例中，以离散增量向磁头滑块施加偏压，并且在每个增量确定触地功率。TDP最大化的偏压与在磁头滑块和磁盘之间的固有接触电势的倒置极性相等，并且...

一种具有软中间膜的气垫面外层及制造该气垫面外层的方法。在一个实施例中，一种磁头包括至少一个磁头元件，其用于从磁介质读取和/或向磁介质写入，该元件具有面向磁介质的气垫面（ABS）；在ABS上方的包含碳化硅的粘性膜，该粘性膜具有在水蒸汽局部...

磁盘驱动器的基础设计。一种磁盘装置，包括：一个或多个盘形磁盘；主轴马达；磁头；臂部，其用于支撑该磁头；封壳基部，其用于容纳上述组件；邻接对置表面，其位于封壳基部中邻接该磁盘；非邻接对置表面，其位于封壳中与该磁盘相对，并且较之邻接对置表面...

本发明涉及具有多个磁层和间隔层的图案化垂直磁记录介质。该图案化垂直磁记录介质具有离散的数据岛，该数据岛具有第一和第二铁磁层（MAG1和MAG2），第一和第二非磁性间隔层（IL1和IL2）在所述MAG1和MAG2之间。MAG1和MAG2可...

描述了一种方法，该方法允许磁盘驱动器，诸如迭瓦写入式记录（SMR）驱动器在紧急断电（EPO）之后恢复将LBA映射到PBA的间接性地址表。间接性地址表（IAT）快照与用户数据存储内嵌地周期性地写入，并且在一个实施例中具有增量地址更新信息的...

本发明涉及垂直磁记录盘，其具有由至少两个铁磁交换耦合的CoPtCr氧化物磁层（MAG1和MAG2）形成的分级各向异性记录层（RL），两个成核层（NF1和NF2）位于磁层之间。NF1是在低压于MAG1上溅射沉积至约0.1-1.5nm厚的金...

本发明涉及具有反相Hk结构的垂直磁记录介质。根据一个实施方式，垂直磁记录介质包含特征为磁各向异性Ku1的第一粒状记录层、在该第一粒状记录层上且特征为磁各向异性Ku2的第二粒状记录层和在该第二粒状记录层上且特征为磁各向异性Ku3的第三粒状...

本发明提供了自旋转矩振荡器（STO）、STO传感器、磁场感测系统以及盘驱动器。该自旋转矩振荡器（STO）具有单个自由铁磁层，该自由铁磁层与非磁导电间隔层形成巨磁阻（GMR）结构的一部分，并与隧道势垒层形成隧道磁阻（TMR）结构的一部分。...

本申请涉及一种磁芯宽度预测的人工神经网络应用和磁盘驱动器制造的建模。用于预测和优化写入头的磁芯宽度的方法，使用神经网络来分析制造参数并确定提供更优化的磁芯宽度结果的新的制造参数。制造参数可以包括：写入极张开点；围绕屏蔽的尺寸；和侧间隙。

本发明涉及生成驱动用在热辅助记录中的激光器的激光器信号的方法和装置。硬盘驱动器的通道生成激光器信号的高频分量，例如，周期波或一系列脉冲，并且使激光器信号的相位与控制硬盘驱动器的磁盘内的数据位的磁化的相应写入数据信号同步。该通道可以经由通...

本发明提供了利用“叠瓦”记录和“宽区域”加热器的热辅助记录（TAR）盘驱动器。在叠瓦记录中，写头极尖在跨道方向上比读头宽并通过建立部分交叠的多个连续圆形路径而写入磁转变。相邻路径的未被交叠部分形成数据道，因此其比写极尖的宽度窄。数据道被...

本发明涉及磁阻传感器结构及电流垂直于平面型磁阻读头。用于磁记录盘驱动器的CPP-GMR或CPP-TMR读头的硬磁体偏置结构位于传感器的两个屏蔽件之间并邻接传感器自由层的侧边缘。绝缘层位于偏置结构与下屏蔽件和自由层的侧边缘之间。偏置结构包...

描述了使用本发明实施方式的闪存系统和数据管理的方法，其使用具有早期恶化检测(EDD)电路的特殊测试单元来代替使用实际的用户数据存储单元。通过使用实验地确定的敏感的写VT和可变的读VT，使得闪存测试单元与标准单元相比更敏感，可以使其作为“...

本发明涉及图案化垂直磁记录介质和磁记录盘、以及磁记录盘驱动器。该图案化垂直磁记录盘具有Co合金记录层，该Co合金记录层被图案化成离散的数据岛，该岛布置成同心道，该磁记录盘呈现窄的翻转场分布(SFD)。该盘包括：衬底；在该衬底上的NiTa...

本发明提供一种图案化介质盘和形成图案化磁介质的方法。该方法包括在盘衬底上沉积材料，所述盘衬底用于数据存储装置；使用纳米压印掩模纳米压印该盘衬底上的所述材料；在所述纳米压印期间，将所述材料处理成部分固化的材料；移除所述纳米压印掩模；将所述...

一种用于制造磁传感器的方法，该方法通过消除传感器的顶盖层中的任何氧化物形成来减小传感器的面积电阻并减小其MR比率。该方法包括形成上面形成有多层顶盖结构的传感器堆。所述多层顶盖结构可以包括第一、第二、第三和第四层。所述第二层由不易被氧化且...

描述了使用系统对于电荷干扰操作的灵敏度以及由系统执行的电荷干扰操作的历史的闪存系统和数据管理方法。在本发明的实施方式中，对于电荷干扰操作的灵敏度以干扰强度矩阵来实施，其中所选操作具有相关联的数值，其为引起导致数据错误的电荷中的干扰的该操...

本发明涉及一种交插导体结构，包括：导电下层；第一电绝缘层，设置在该导电下层之上；多条第一电迹线，设置在该第一电绝缘层上，该多条第一电迹线中的每条电迹线具有第一宽度；第二电绝缘层，设置在该多条第一电迹线上；以及多条第二电迹线，设置在该第二...

本发明涉及一种交插导体结构，包括：导电下层；第一电绝缘层，设置在该导电下层之上；多条第一电迹线，设置在该第一电绝缘层上且彼此间隔开第一距离，该多条第一电迹线中的每条电迹线具有第一宽度；第二电绝缘层，设置在该多条第一电迹线上；以及多条第二...

描述了使用系统对于电荷干扰操作的灵敏度以及由系统执行的电荷干扰操作的历史的闪存系统和数据管理方法。在本发明的实施方式中，对于电荷干扰操作的灵敏度以干扰强度矩阵来实施，其中所选操作具有相关联的数值，其为引起导致数据错误的电荷中的干扰的该操...